[發明專利]顯示裝置

有效

• 申請號: 201710412650.0
• 申請日: 2017-06-05
• 公開（公告）號: CN107490910B
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發明（設計）人: 全映宰;劉一;金承來;金春燕;樸釩首;樸宰賢;李尚柱;玄慧媛
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/12
• 代理公司: 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722
• 代理人: 李英艷;馮志云

1.一種顯示裝置，包括：

基底；

柵導體，直接設置在所述基底上并包括柵線和柵電極；

柵絕緣層，設置在所述柵導體上并包括交疊部分和非交疊部分，該交疊部分交疊所述柵導體，該非交疊部分連接到所述交疊部分，不交疊所述柵導體并且與所述基底間隔開，空間提供在所述柵絕緣層與所述基底之間；以及

半導體圖案，設置在所述柵絕緣層上并交疊所述柵電極，

其中所述柵絕緣層的邊緣比所述柵導體的邊緣和所述半導體圖案的邊緣進一步突出。

2.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述柵絕緣層的所述邊緣的形狀與所述柵導體的所述邊緣的形狀基本上相同。

3.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述柵導體的所述邊緣比所述半導體圖案的所述邊緣進一步突出。

4.如權利要求3所述的顯示裝置，其中所述半導體圖案的所述邊緣的形狀與所述柵電極的所述邊緣的形狀基本上相同。

5.如權利要求3所述的顯示裝置，其中所述半導體圖案與由同一層形成的其它部件隔離。

6.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述半導體圖案交疊所述柵導體。

7.一種顯示裝置，包括：

基底；

柵導體，直接設置在所述基底上并包括柵線和柵電極；

柵絕緣層，設置在所述柵導體上并包括交疊部分和非交疊部分，該交疊部分交疊所述柵導體，該非交疊部分連接到所述交疊部分，不交疊所述柵導體并且與所述基底間隔開；

半導體圖案，設置在所述柵絕緣層上并交疊所述柵電極；以及

數據導體，設置在所述基底上并包括與所述柵線絕緣的數據線、連接到所述數據線和所述半導體圖案的源電極以及連接到所述半導體圖案并與所述源電極間隔開的漏電極，

其中所述柵絕緣層的邊緣比所述柵導體的邊緣和所述半導體圖案的邊緣進一步突出；并且

其中所述漏電極包括第一部分以及連接到所述第一部分并設置在所述柵絕緣層上的第二部分，所述第一部分設置在所述基底上，不交疊所述柵絕緣層并與所述柵電極間隔開，空間提供在所述第一部分與所述柵電極之間。

8.如權利要求7所述的顯示裝置，其中所述第一部分直接設置在所述基底上。

9.如權利要求7所述的顯示裝置，其中所述第二部分包括第一子部分和第二子部分，所述第一子部分交疊所述非交疊部分并且不交疊所述柵電極和所述半導體圖案，所述第二子部分連接到所述第一子部分，交疊所述交疊部分和所述柵電極并且不交疊所述半導體圖案。

10.如權利要求9所述的顯示裝置，其中所述第二部分還包括第三子部分，所述第三子部分連接到所述第二子部分并交疊所述柵電極、所述交疊部分和所述半導體圖案。

11.如權利要求7所述的顯示裝置，還包括：

第一鈍化層，設置在所述源電極、所述漏電極和所述半導體圖案上；

第一電極，設置在所述第一鈍化層上；

第二鈍化層，設置在所述第一電極上；以及

第二電極，設置在所述第二鈍化層上。

12.如權利要求11所述的顯示裝置，其中所述第二電極的厚度大于所述第一電極的厚度。

13.如權利要求11所述的顯示裝置，其中：

所述第一鈍化層包括暴露所述漏電極的部分的接觸孔；

所述第一電極包括交疊所述接觸孔的電極開口；

所述第二鈍化層包括交疊所述電極開口的鈍化開口；

所述第二電極通過所述接觸孔、所述電極開口和所述鈍化開口連接到所述漏電極；以及

所述鈍化開口的尺寸小于所述電極開口的尺寸。