[發明專利]垂直型光電探測器及其制備方法有效
| 申請號： | 201710411754.X | 申請日： | 2017-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN107425090B | 公開（公告）日： | 2019-08-23 |
| 發明（設計）人： | 賈仁需;龐體強;欒蘇珍;張玉明;汪鈺成;劉銀濤 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L31/109 | 分類號： | H01L31/109;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 劉長春 |
| 地址： | 710071*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 垂直 光電 探測器 及其 制備 方法 | ||
1.一種垂直型光電探測器的制備方法，其特征在于，包括：
S1：選取襯底；
S2：在所述襯底上生長底電極層；
S3：在所述底電極層上生長二硫化鉬層，所述二硫化鉬層為單層或多層薄膜材料，載流子類型為n型；
S4：在所述二硫化鉬層上生長雜化鈣鈦礦層，所述雜化鈣鈦礦層為弱p型，載流子濃度為1016cm-3量級；
S5：在所述雜化鈣鈦礦層上生長頂電極。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述襯底為半絕緣半透明材料。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(S1)前還包括：利用RCA標準清洗工藝，對所述襯底進行清洗。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(S3)包括：采用化學氣相沉積法，以單質的鉬金屬和硫粉做為生長源，在所述底電極層表面沉積二維二硫化鉬以完成所述二硫化鉬層的生長。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(S4)包括：
(S41)制備前驅體溶液；
(S42)將所述前驅體溶液攪拌并旋涂至所述二硫化鉬層上以生長雜化鈣鈦礦層。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述雜化鈣鈦礦層材料為CH3NH3PbI3。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，步驟(S41)包括：將0.415g的CH3NH3I和1.223g的PbI2溶于4mL的DMF溶液中制備所述前驅體溶液。
8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，步驟(S42)包括：
(S421)將所述前驅體溶液在50℃下攪拌10-12h；
(S422)以3000rpm的轉速將所述前驅體溶液旋涂到所述二硫化鉬層上，在90℃下退火0.5h，制成CH3NH3PbI3薄膜以完成雜化鈣鈦礦層的生長。
9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(S5)包括：
(S51)采用物理掩膜板，利用磁控濺射工藝在所述雜化鈣鈦礦層上生長第二金屬材料；
(S52)在氮氣和氬氣的氣氛下，利用快速熱退火工藝，在所述雜化鈣鈦礦層上表面與所述第二金屬材料表面處形成歐姆接觸以完成所述頂電極的生長。
10.一種垂直型光電探測器，其特征在于，包括：半絕緣半透明襯底層、底電極層、二硫化鉬層、雜化鈣鈦礦層、頂電極，其中，所述光電探測器由權利要求1～9任一項所述的方法制備形成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
