[發(fā)明專利]一種磁流變阻尼器的反向優(yōu)化設(shè)計(jì)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710411418.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107203669B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐趙東;王成;趙玉亮;苗安男;楊昀 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東南大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G06F30/23 | 分類號(hào): | G06F30/23;G06F30/17 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 李倩 |
| 地址: | 211189 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 流變 阻尼 反向 優(yōu)化 設(shè)計(jì) 方法 | ||
1.一種磁流變阻尼器的反向優(yōu)化設(shè)計(jì)方法,其特征在于:該方法通過(guò)確定所需的最大阻尼力和可調(diào)系數(shù),將幾何設(shè)計(jì)和磁路設(shè)計(jì)統(tǒng)一起來(lái)進(jìn)行反向優(yōu)化設(shè)計(jì),直到磁流變阻尼器在相對(duì)小的尺寸下滿足所需的最大阻尼力和可調(diào)系數(shù);其中,幾何設(shè)計(jì)利用MATLAB仿真軟件計(jì)算幾何設(shè)計(jì)目標(biāo)值,磁路設(shè)計(jì)利用ANSYS有限元仿真計(jì)算磁路設(shè)計(jì)目標(biāo)值;
上述磁流變阻尼器的反向優(yōu)化設(shè)計(jì)方法具體包括如下步驟:
步驟1,選定磁流變阻尼器的設(shè)計(jì)目標(biāo)值:最大阻尼力U*和可調(diào)系數(shù)β0;
步驟2,依據(jù)實(shí)際振動(dòng)情況確定所需阻尼器活塞桿的最大速度再結(jié)合選取的磁流變液和磁路材料確定磁流變液工作點(diǎn)對(duì)應(yīng)的最大剪切屈服強(qiáng)度τy和零場(chǎng)粘度η;
步驟3,根據(jù)步驟1確定的最大阻尼力U*,按照機(jī)械設(shè)計(jì)規(guī)范和材料力學(xué)特性計(jì)算所需活塞桿直徑d和外缸筒厚度t的強(qiáng)度限值;
步驟4,確定各個(gè)材料的導(dǎo)磁特性并根據(jù)步驟2中選定的最大剪切屈服強(qiáng)度τy查找磁路工作間隙處所需磁感應(yīng)強(qiáng)度B0;
步驟5,根據(jù)步驟3確定的活塞桿直徑d的強(qiáng)度限值進(jìn)行幾何設(shè)計(jì);所述幾何設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)步驟包括:(1)初步選取幾何尺寸參數(shù)活塞直徑D、活塞桿直徑d、工作間隙寬度h和活塞有效長(zhǎng)度L;(2)利用MATLAB仿真軟件計(jì)算當(dāng)前選取的初始參數(shù)下得到的最大阻尼力和可調(diào)系數(shù);(3)并將(2)得到的數(shù)值與設(shè)計(jì)目標(biāo)值比較,若不滿足設(shè)計(jì)要求,重新選取幾何尺寸參數(shù),再重復(fù)(1)~(3),直到仿真計(jì)算得到的數(shù)值滿足設(shè)計(jì)要求為止;(4)當(dāng)仿真計(jì)算得到的數(shù)值滿足設(shè)計(jì)要求后,再判斷設(shè)定的初始參數(shù)是否可以進(jìn)一步減小,如果可以則重新選取較小值重復(fù)步驟(1)~(4),否則選取設(shè)定的參數(shù)為設(shè)計(jì)結(jié)果;
步驟6,根據(jù)步驟3確定的外缸筒厚度t的強(qiáng)度限值和步驟4確定的磁路工作間隙處所需磁感應(yīng)強(qiáng)度B0進(jìn)行磁路設(shè)計(jì);所述磁路設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)步驟包括:(1)根據(jù)幾何設(shè)計(jì)結(jié)果,初步選取定線圈匝數(shù)N、外缸筒厚度t、挖槽長(zhǎng)度a與寬度b;(2)利用ANSYS有限元仿真計(jì)算工作間隙處平均磁感應(yīng)強(qiáng)度(3)判斷挖槽長(zhǎng)度a與寬度b是否小于限值,如果滿足則進(jìn)行下一步,否則重新進(jìn)行幾何設(shè)計(jì)并進(jìn)行步驟(1)~(3);(4)判斷步驟(2)中工作間隙處平均磁感應(yīng)強(qiáng)度是否大于或等于選定的磁路工作間隙處磁感應(yīng)強(qiáng)度B0,如果滿足,則進(jìn)行下一步,否則重復(fù)步驟(1)~(4);(5)判斷設(shè)定的初始參數(shù)是否可以進(jìn)一步減小,如果可以則重新選取較小值重復(fù)步驟(1)~(5),否則選取設(shè)定的參數(shù)為設(shè)計(jì)結(jié)果;
步驟7,判斷設(shè)計(jì)的幾何參數(shù)和磁路參數(shù)是否滿足要求,如果不滿足要求則重復(fù)步驟5~6,直到幾何參數(shù)和磁路參數(shù)達(dá)到最小尺寸且滿足步驟1中確定的最大設(shè)計(jì)阻尼力U*和可調(diào)系數(shù)β0的要求;
所述最大阻尼力和可調(diào)系數(shù)的計(jì)算公式如下:
FMRD,max=Fτ+Fη+Fp0;
式中,p0=1.2Mpa。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁流變阻尼器的反向優(yōu)化設(shè)計(jì)方法,其特征在于:考慮挖槽長(zhǎng)度a與寬度b的力學(xué)特性要求,挖槽長(zhǎng)度a的限值取活塞頭長(zhǎng)度的四分之一,挖槽寬度b的限值取活塞頭直徑與活塞桿直徑差值的二分之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁流變阻尼器的反向優(yōu)化設(shè)計(jì)方法,其特征在于:所述ANSYS有限元仿真的具體分析過(guò)程為:(1)選用二維靜態(tài)分析類型,單元選用二維8節(jié)點(diǎn)四邊形實(shí)體單元Plane53;(2)根據(jù)已知材料的導(dǎo)磁特性分別建立活塞、缸筒、間隙磁流變液、線圈、空氣和密封環(huán)氧樹(shù)脂部分的有限元模型;(3)在模型外邊界線施加磁通量平行的邊界條件,劃分網(wǎng)格;(4)以電流密度的形式施加激勵(lì),對(duì)該模型進(jìn)行靜態(tài)求解;(5)進(jìn)入后處理,查看磁場(chǎng)強(qiáng)度數(shù)據(jù),進(jìn)行工作間隙處平均磁感應(yīng)強(qiáng)度的計(jì)算。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東南大學(xué),未經(jīng)東南大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710411418.5/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





