[發明專利]一種薄膜晶體管的制作方法、薄膜晶體管及顯示基板

在審

• 申請號: 201710409082.9
• 申請日: 2017-06-02
• 公開（公告）號: CN107221503A
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發明（設計）人: 錢海蛟;操彬彬;楊成紹;黃寅虎
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 許靜,劉偉

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括形成有源層的步驟，所述步驟包括：

在襯底基板上依次形成多晶硅圖層和保護圖層；

使用第一刻蝕氣體，對所述保護圖層進行刻蝕，得到由保護圖層形成的保護圖形；

以所述保護圖形為掩膜板，使用第二刻蝕氣體，同時對所述保護圖形以及多晶硅圖層進行刻蝕，得到由多晶硅圖層形成的多晶硅圖形，以及由保護圖形形成的保護殘留圖形，其中所述保護圖形被所述第二刻蝕氣體刻蝕的速率不小于所述多晶硅圖層被所述第二刻蝕氣體刻蝕的速率；

形成非晶硅圖形，所述非晶硅圖形與所述多晶硅圖形的刻蝕側面相接觸，且露出一部分保護殘留圖形，所述多晶硅圖形和所述非晶硅圖形共同組成有源層。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，

所述多晶硅圖層的形成材料包括p-Si，所述保護圖層形成材料包括SiO₂。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，

使用第一刻蝕氣體，對所述保護圖層進行刻蝕，包括：

使用O₂與CF₄體積比例為40:200的第一刻蝕氣體，對所述保護圖層進行刻蝕。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，

所述保護圖層的厚度為1000埃，被所述第一刻蝕氣體刻蝕的時間為120秒-130秒，刻蝕環境的大氣壓強為55毫托-65毫托。

5.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，

使用第二刻蝕氣體，同時對所述保護圖形以及多晶硅圖層進行刻蝕，包括：

使用O₂與CF₄體積比例為100:200的第二刻蝕氣體，同時對所述保護圖形以及多晶硅圖層進行刻蝕。

6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，

所述多晶硅圖層的厚度為500埃，所述保護圖形以及所述多晶硅圖層同時被所述第二刻蝕氣體刻蝕的時間為35秒-45秒，刻蝕環境的大氣壓強為75毫托-85毫托。

7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，還包括：

在形成非晶硅圖形后，對所述非晶硅圖形遠離所述襯底基板的表面進行離子注入，使得所述非晶硅圖形被離子注入的部分形成歐姆接觸層。

8.一種薄膜晶體管，其特征在于，采用如權利要求1-7中任一項所述的制作方法制作得到。

9.根據權利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述有源層的多晶硅圖形的刻蝕側面的坡度為45度-55度。

10.根據權利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述有源層的多晶硅圖形與所述有源層的保護殘留圖形構成升階的階梯結構。

11.一種顯示基板，其特征在于，包括如權利要求8-10任一項所述的薄膜晶體管。