[發(fā)明專利]一種放大器電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710408875.9 | 申請(qǐng)日: | 2017-06-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108988792A | 公開(公告)日: | 2018-12-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中興通訊股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03F1/02 | 分類號(hào): | H03F1/02 |
| 代理公司: | 深圳鼎合誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44281 | 代理人: | 江婷;李發(fā)兵 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 放大器電路 放大器晶體管 諧波控制電路 諧波能量 二次諧波 功率輸出 氮化鎵 功放管 管芯處 短路 功放 減小 | ||
1.一種放大器電路,包括:放大器晶體管、與所述放大器晶體管的柵極連接的輸入匹配電路、與所述放大器晶體管的漏極連接的輸出匹配電路;所述輸入匹配電路用于匹配所述放大器晶體管的源阻抗,所述輸出匹配電路包括諧波控制電路和基波匹配電路,所述諧波控制電路用于在所述放大器晶體管的管芯處,將所述放大器晶體管的諧波能量進(jìn)行短路,所述基波匹配電路用于匹配所述放大器晶體管的基波最佳負(fù)載阻抗。
2.如權(quán)利要求1所述的放大器電路,其特征在于,所述輸入匹配電路用于將所述放大器晶體管的源阻抗匹配到系統(tǒng)阻抗。
3.如權(quán)利要求1所述的放大器電路,其特征在于,所述基波匹配電路用于將所述放大器晶體管的基波最佳負(fù)載阻抗匹配到系統(tǒng)阻抗。
4.如權(quán)利要求1所述的放大器電路,其特征在于,所述輸入匹配電路還包括柵極偏置電路,所述基波匹配電路還包括漏極偏置電路。
5.如權(quán)利要求1所述的放大器電路,其特征在于,所述諧波控制電路用于在所述放大器晶體管的管芯處,將所述放大器晶體管的二次諧波能量進(jìn)行短路。
6.如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的放大器電路,其特征在于,所述放大器晶體管包括氮化鎵功放管。
7.如權(quán)利要求6所述的放大器電路,其特征在于,所述諧波控制電路包括八分之一波長開路線,所述八分之一波長開路線設(shè)置在所述氮化鎵功放管的輸出引腳根部。
8.如權(quán)利要求7所述的放大器電路,其特征在于,所述八分之一波長開路線包括一條第一波長對(duì)應(yīng)的八分之一波長開路線,所述第一波長為所述氮化鎵功放管中心頻率對(duì)應(yīng)的波長。
9.如權(quán)利要求7所述的放大器電路,其特征在于,所述八分之一波長開路線包括一條第二波長對(duì)應(yīng)的八分之一波長開路線及一條第三波長對(duì)應(yīng)的八分之一波長開路線,所述第二波長為所述氮化鎵功放管工作頻段低頻點(diǎn)對(duì)應(yīng)的波長,所述第三波長為所述氮化鎵功放管工作頻段高頻點(diǎn)對(duì)應(yīng)的波長。
10.如權(quán)利要求6所述的放大器電路,其特征在于,所述諧波控制電路包括并聯(lián)電容,所述電容的一端設(shè)置在所述氮化鎵功放管的輸出引腳根部,另一端接地。
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H03F 放大器
H03F1-00 只用電子管,只用半導(dǎo)體器件或只用未特別指明的器件作為放大元件的放大器的零部件
H03F1-02 .為提高效率對(duì)放大器的改進(jìn),例如滑動(dòng)甲類放大級(jí),采用輔助振蕩
H03F1-08 .為減少放大元件內(nèi)阻的有害影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-26 .為減少由放大元件產(chǎn)生的噪聲影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-30 .為減少溫度變化或電源電壓變化的影響對(duì)放大器的改進(jìn)
H03F1-32 .為減少非線性失真對(duì)放大器的改進(jìn)
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