[發明專利]一種二維納米結構MoS2納米片的制備方法有效
| 申請號： | 201710407005.X | 申請日： | 2017-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN107055615B | 公開（公告）日： | 2018-06-12 |
| 發明（設計）人： | 程志林;吳沛蓉;劉贊 | 申請（專利權）人： | 揚州大學 |
| 主分類號： | C01G39/06 | 分類號： | C01G39/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 揚州市錦江專利事務所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二硫化鉬 納米片 硫源 鉬源 制備 二維納米結構 卷曲狀 晶核 埃洛石納米管 二維層狀結構 制備技術領域 法制備納米 規?；a 多層片狀 混合溶液 納米材料 納米片層 粗產品 卷曲 層間 可控 沉積 去除 生長 | ||
【權利要求書】：
1.一種二維納米結構MoS2納米片的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
1）在磁力攪拌下，將鉬源和硫源溶解于去離子水中，取得鉬源和硫源的混合溶液；所述鉬源為鉬酸銨或鉬酸鈉，所述硫源為硫脲或硫代乙酰胺或硫化鈉；所述鉬源和硫源的混合溶液中鉬原子與硫原子的摩爾比為1∶ 2～4；
2）將干燥的60～100℃粉狀埃洛石納米管與上述鉬源和硫源的混合溶液混合后進行反應；所述粉狀埃洛石納米管為一維納米管狀結構，長度為200～500 nm，直徑為50～100nm，層間結構為7～10?；所述埃洛石納米管與鉬源和硫源的混合比為100 mL∶3.8～215 g∶3.2～330 g；
3）反應結束后冷卻到室溫，先后采用氫氟酸水溶液和鹽酸水溶液洗滌除去埃洛石納米管，得到MoS2粗產品；
4）采用去離子水、無水乙醇洗滌MoS2粗產品后，離心取得固相，經干燥、研磨，得二維納米結構MoS2納米片。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于所述步驟1）中，所述溶解的溫度條件為30～60℃。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于所述步驟2）中，所述反應在混合體系的溫度為180～240℃、5～15 rpm轉速的條件下進行。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于所述步驟3）中，所述氫氟酸水溶液中HF的質量百分比為20～40%，鹽酸水溶液中HCl的質量百分比為20～38%。
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