[發明專利]一種顯示基板的測試方法及應用于顯示設備的基板

有效

• 申請號: 201710406008.1
• 申請日: 2017-06-01
• 公開（公告）號: CN107123384B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 彭邦銀
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G09G3/00
• 分類號: G09G3/00
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 鐘子敏

本發明公開了一種顯示基板的測試方法及應用于顯示設備的基板，其中該應用于顯示設備的基板包括：基板本體，其一表面形成有多個組合顯示基板，每個組合顯示基板包括較大顯示基板與較小顯示基板，且該組合顯示基板外圍區域設有測試線路，該測試線路包括成膜保證區與非成膜保證區；其中，對應不同的顯示基板的測試走線及測試跨線交叉密集區設于成膜保證區。本發明減少了因測試跨線和測試走線交叉布線造成的靜電釋放問題。

技術領域

本發明涉及液晶顯示器領域，特別是涉及一種顯示基板的測試方法及應用于顯示設備的基板。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,簡稱TFT-LCD)是一種重要的平板顯示設備，它的主體結構為對盒設置的陣列基板和彩膜基板，以及填充在陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。在陣列基板上形成有柵線和數據線以及由柵線和數據線限定的像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱TFT)和像素電極。在顯示過程中，TFT作為開關控制對液晶施加驅動電場，從而控制液晶的旋轉，實現畫面的顯示。通常在彩膜基板上形成有黑矩陣，其與陣列基板上的非顯示基板位置對應，用于防止非顯示基板漏光，影響顯示質量。

ESD(Electro-Static discharge，靜電釋放)通常會發生在TFT基板制程過程中。ESD發生的地方一般集中在雙層或多層金屬測試跨線處，特別是靠近TFT基板邊緣有測試跨線的地方極易發生。例如，MMG4322是將43寸和22寸兩個大小不同的基板混合設計在同一玻璃基板上，玻璃基板利用率達到95％以上，故其外圍的光配(HVA)測試走線距離TFT玻璃基板的邊緣僅有11mm左右，這甚至超出物理氣相沉積的成膜保證。再者，由于測試走線數目比純切產品的數目增加一倍，測試跨線的數目也比純切產品增多很多，所以更加增大了MMG4322的ESD發生的概率。

如圖5所示，圖5是現有技術的應用于顯示設備的基板的一實施方式的部分結構示意圖。從圖5可以看到，現有技術的這種基板包括形成于襯底基板1上的較大顯示基板3和較小顯示基板2，其中跨線和走線交叉的密集區在較大顯示基板的邊緣，這里恰恰是非成膜保證區，而跨線和走線交叉的稀疏區在成膜保證區，這種線路設計會使得非成膜保證區容易發生ESD問題。

發明內容

本發明主要提供一種顯示基板的測試方法及應用于顯示設備的基板，以解決現有技術中，在組合顯示基板外圍的測試線路中，由于跨線跨過的走線數目過多造成的ESD問題。

為解決上述技術問題，本發明采用的一技術方案如下：

一種應用于顯示設備的基板，包括：

基板本體，其一表面形成有多個矩陣排列的組合顯示基板，每個所述組合顯示基板包括相互組合的較大顯示基板與較小顯示基板，每個所述組合顯示基板的外圍區域設有測試線路，所述測試線路包括成膜保證區與非成膜保證區；

其中，對應不同的所述較大顯示基板和所述較小顯示基板的測試走線及測試跨線，設置于所述測試線路，且所述測試跨線與所述測試走線的交叉密集區設于所述成膜保證區。

為解決上述技術問題，本發明采用的另一技術方案如下：

一種顯示基板的測試方法，包括以下步驟：

提供一基板本體，所述基板本體的一表面形成有多個矩陣排列的組合顯示基板，每個所述組合顯示基板包括相互組合的較大顯示基板與較小顯示基板，每個所述組合顯示基板的外圍區域設有測試線路，所述測試線路包括成膜保證區與非成膜保證區，其中，對應不同的所述顯示基板的測試走線及測試跨線，設置于所述測試線路，且所述測試跨線與所述測試走線的交叉密集區設于所述成膜保證區；

對所述測試走線/所述測試跨線施加測試信號，使所述測試信號通過對應的所述測試走線/所述跨線到達所述顯示基板進行測試。