[發(fā)明專利]太赫茲基片集成波導(dǎo)?微帶過(guò)渡結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710405692.1
• 申請(qǐng)日: 2017-06-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107342446A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王志輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西南電子技術(shù)研究所（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十研究所）
• 主分類號(hào): H01P5/08
• 分類號(hào): H01P5/08
• 代理公司: 成飛(集團(tuán))公司專利中心51121
• 代理人: 郭純武

1.一種太赫茲基片集成波導(dǎo)-微帶過(guò)渡結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置在基片集成波導(dǎo)(1)矩形體面上的單層介質(zhì)基片(2)、金屬化通孔陣列(3)和通過(guò)平面微帶(5)傳輸射頻信號(hào)的射頻輸出口(6)，其特征在于：金屬化通孔陣列(3)按線陣排列在基片集成波導(dǎo)(1)矩形體長(zhǎng)度方向的兩邊，在所述矩形體一側(cè)寬邊對(duì)接射頻輸出口(6)凸臺(tái)結(jié)合體的共面板面上，設(shè)有同側(cè)相連平面微帶(5)的多層漸變基片集成波導(dǎo)過(guò)渡結(jié)構(gòu)(4)；太赫茲信號(hào)從基片集成波導(dǎo)(1)的自由端輸入，將太赫茲信號(hào)能量耦合于單層介質(zhì)基片(2)的介質(zhì)層，通過(guò)一段多層漸變基片集成波導(dǎo)過(guò)渡結(jié)構(gòu)互連平面微帶(5)傳輸寬帶太赫茲信號(hào)，太赫茲信號(hào)以多層漸變基片集成波導(dǎo)過(guò)渡結(jié)構(gòu)(4)作為輸入，通過(guò)多層漸變基片集成波導(dǎo)過(guò)渡結(jié)構(gòu)(4)將基片集成波導(dǎo)(1)的TE10模轉(zhuǎn)變?yōu)槠矫嫖?5)的TEM模，對(duì)基片集成波導(dǎo)(1)與平面微帶(5)的阻抗進(jìn)行匹配，最后通過(guò)射頻輸出口(6)輸出。

2.如權(quán)利要求1所述的太赫茲基片集成波導(dǎo)-微帶過(guò)渡結(jié)構(gòu)，其特征在于：基片集成波導(dǎo)(1)是由在單層介質(zhì)基片(2)上利用金屬化通孔陣列(3)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。

3.如權(quán)利要求1所述的太赫茲基片集成波導(dǎo)-微帶過(guò)渡結(jié)構(gòu)，其特征在于：基片集成波導(dǎo)(1)作為太赫茲射頻信號(hào)輸入端，它的傳輸主模與標(biāo)準(zhǔn)矩形波導(dǎo)相同。