[發明專利]平板顯示裝置及其Top-OLED有效
| 申請號： | 201710405437.7 | 申請日： | 2017-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN107170903B | 公開（公告）日： | 2018-11-20 |
| 發明（設計）人： | 袁偉 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 袁江龍 |
| 地址： | 518000 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 平板 顯示裝置 及其 top oled | ||
1.一種Top-OLED，其特征在于，所述Top-OLED包括發光單元和設于所述發光單元光輸出面的光輸出耦合單元，所述光輸出耦合單元包括自所述發光單元光輸出面依次層疊設置的第一光輸出耦合層和第二光輸出耦合層，其中所述第一光輸出耦合層的折射率大于所述第二光輸出耦合層折射率，所述光輸出耦合單元進一步包括層疊設置于所述第二光輸出耦合層上的第三光輸出耦合層，所述第二光輸出耦合層的折射率大于所述第三光輸出耦合層折射率，所述發光單元包括依次層疊設置的TFT基板、ITO陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、R/G/B/Y發光層、電子傳輸層、電子注入層以及金屬陰極，所述光輸出耦合單元設于所述金屬陰極上，
所述ITO陽極采用Ag，厚度為1000A；
所述空穴注入層采用MoO3，厚度為50A；
所述空穴傳輸層采用NPB，厚度為300A；
所述R/G/B/Y發光層采用TCTA:(ppy)2Ir(acac)，厚度為150A；
所述電子傳輸層采用TmPyPb，厚度為300a；
所述電子注入層采用LiF，厚度為10A；
所述金屬陰極采用Mg：Ag(1:9)，厚度為200A；
所述第一光輸出耦合層采用NPB，厚度為200A；
所述第二光輸出耦合層122采用NPB：LiF(1：1)，厚度為200A；
所述第三光輸出耦合層采用LiF，厚度為200A。
2.根據權利要求1所述的Top-OLED，其特征在于，所述第一光輸出耦合層采用折射率為1.75以上的有機或無機材料。
3.根據權利要求1所述的Top-OLED，其特征在于，所述第一光輸出耦合層采用ZnS、ZnSe、ITO或IZO。
4.根據權利要求1所述的Top-OLED，其特征在于，所述第二光輸出耦合層采用折射率為1.4至1.75的有機、無機或復合材料。
5.根據權利要求4所述的Top-OLED，其特征在于，所述無機材料采用LaF3、YF3或CeF3；
所述有機材料采用TcTa、Alq3或Liq；
所述復合材料采用有機材料與MgF、LiF或NaF共蒸鍍形成的單層結構。
6.根據權利要求1所述的Top-OLED，其特征在于，所述第三光輸出耦合層采用射率在1.1至1.4的有機或無機材料。
7.根據權利要求6所述的Top-OLED，其特征在于，所述第三光輸出耦合層采用MgF、NaF、KF或BaF2。
8.一種平板顯示裝置，其特征在于，所述平板顯示裝置包括權利要求1至7中任一項所述的Top-OLED。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
