[發(fā)明專利]一種在鋯合金表面制備非晶納米晶涂層的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710404821.5 | 申請日: | 2017-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN107299316A | 公開(公告)日: | 2017-10-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊亮;蔡保賢 | 申請(專利權(quán))人: | 南京航空航天大學 |
| 主分類號: | C23C14/16 | 分類號: | C23C14/16;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司: | 南京鐘山專利代理有限公司32252 | 代理人: | 戴朝榮 |
| 地址: | 210016 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 合金 表面 制備 納米 涂層 方法 | ||
1.一種在鋯合金表面制備非晶納米晶涂層的方法,其特征在于:包括以下步驟:
1)靶材選取
選取鋯-銅合金靶,或者高純銅靶、高純鋯靶作為濺射靶,Zr:Cu的原子比為75:25,將靶材放置于磁控濺射室;
2)襯底處理
將表面拋光的純鋯基體依次用丙酮、酒精和去離子水超聲處理20~30分鐘,自然晾干,將處理后的鋯片置于磁控濺射真空室內(nèi)的樣品臺上,準備鍍膜;
3)制備ZrCu非晶納米晶復合涂層
首先將真空室的氣壓抽至5×10-4Pa,然后通入80sccm的高純氬氣至真空室內(nèi),調(diào)節(jié)真空度至0.35Pa;開啟偏壓電源,對步驟2)處理過的鋯基體表面進行偏壓清洗10~20分鐘;隨后關(guān)閉偏壓電源,開啟裝有合金靶的濺射源,并通過調(diào)節(jié)電流來改變?yōu)R射功率控制濺射速率,通過改變?yōu)R射時間控制沉積涂層的厚度,最后制備出一定厚度的非晶納米晶涂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在鋯合金表面制備非晶納米晶涂層的方法,其特征在于:步驟3)中,負偏壓為300V;合金靶的濺射功率為80W,選用直流脈沖電源,電壓為340V;基體與靶材的距離為90mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在鋯合金表面制備非晶納米晶涂層的方法,其特征在于:步驟3)中,濺射時間為20-60min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在鋯合金表面制備非晶納米晶涂層的方法,其特征在于:步驟3)中,濺射時間為40min。
5.權(quán)利要求1所述方法制備的ZrCu非晶納米晶復合涂層,其特征在于:非晶相為ZrCu二元合金,納米晶為Zr相。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





