[發明專利]具有過流保護功能的光模塊

有效

• 申請號: 201710404543.3
• 申請日: 2017-06-01
• 公開（公告）號: CN107231199B
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發明（設計）人: 何世蛟
• 申請（專利權）人: 上海市共進通信技術有限公司
• 主分類號: H04B10/69
• 分類號: H04B10/69;H02H7/20
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔;鄭暄

本發明提供了一種具有過流保護功能的光模塊，在光模塊接收到強光時，檢測到流入光組件的雪崩光電二極管的電流超出預設的閾值電流Ith，則關閉升壓電路中的電源芯片，降低所述的雪崩光電二極管的電壓，起到保護作用。采用本發明中的應用于光模塊的過流保護方法，解決了光模塊在接收到強光的情況下，光組件BOSA中的雪崩光電二極管APD流入過大光電流、出現損害的問題。

技術領域

本發明涉及光通信技術領域，尤其涉及一種應用于光模塊的過流保護設計，具體涉及一種具有過流保護功能的光模塊。

背景技術

近年來，光通信行業飛速發展。無源光網絡(PON)是目前光接入網中最廣泛的應用技術，它在解決寬帶接入問題上是一種經濟的、面向未來多業務的用戶接入技術。PON技術涉及到光電轉換和電光轉換。而這些功能都是由光模塊來實現的。光模塊的實際應用中避免不了接入強光的情形，需要光模塊自身具有強光保護功能。

目前大部分光模塊的光組件BOSA的接收側使用的是雪崩光電二極管APD。雪崩光電二極管APD在工作時需要比較高的反向偏壓，因此光模塊中需要給該雪崩光電二極管APD附加額外的DC-DC升壓電路。當輸入的光功率不變時，雪崩光電二極管APD產生的光電流是隨著反向偏壓的增加而增加，隨著反向偏壓的減小而減小。DC-DC升壓電路提供給雪崩光電二極管APD的電壓是恒定不變的，當輸入光功率超過0～-4dBm，雪崩光電二極管APD會產生過大的光電流(＞0.5～1mA)，這種情形下APD損壞的概率極高。

發明內容

本發明的目的是克服了上述現有技術的缺點，提供了一種能夠防止強光條件下光模塊的光組件BOSA中的雪崩光電二極管APD損壞的具有過流保護功能的光模塊。

為了實現上述目的，本發明的具有過流保護功能的光模塊具有如下構成：

該具有過流保護功能的光模塊，包括雪崩光電二極管APD以及升壓電路，所述的雪崩光電二極管APD設置在光模塊中的光組件BOSA中，且該雪崩光電二極管APD與所述的升壓電路相連接，所述的升壓電路給所述的雪崩光電二極管APD提供反向偏壓使所述的雪崩光電二極管APD處于工作狀態，其特征在于，所述的雪崩光電二極管APD以及升壓電路之間還設置有一過流保護電路，所述的過流保護電路作用于所述的升壓電路中的電源芯片的使能端，所述的過流保護電路在該光模塊接收的光功率滿足一預設范圍時使能所述的電源芯片，使所述的升壓電路給所述的雪崩光電二極管APD提供能供其工作的反向偏壓，并在該光模塊接收的光功率不滿足該預設范圍時關閉所述的電源芯片，使所述的升壓電路停止給所述的雪崩光電二極管APD提供能供其工作的反向偏壓，直至該光模塊接收的光功率再次滿足該預設范圍。

較佳地，所述的過流保護電路為所述的光模塊提供一閾值電流，所述的光模塊接收的光功率滿足該預設范圍時，流入所述的雪崩光電二極管APD的電流小于該閾值電流，由所述的過流保護電路使能所述的升壓電路中的電源芯片；所述的光模塊接收的光功率不滿足該預設范圍時，流入所述的雪崩光電二極管APD的電流大于該閾值電流，由所述的過流保護電路關閉所述的升壓電路中的電源芯片。

更佳地，所述的過流保護電路包括設置于所述的電源芯片使能端的上拉電阻R1，用以在光模塊接收的光功率滿足預設范圍時通過該上拉電阻R1獲取使能電平VCC使能該電源芯片，所述的過流保護電路還包括一第四電阻R4、PMOS管和NMOS管，其中所述的雪崩光電二極管APD通過該第四電阻R4連接至所述的升壓電路，所述的PMOS管的柵極和源極連接在所述的第四電阻R4的兩端，所述的NMOS管的柵極和源極連接在一第二分壓電阻R3的兩端，該第二分壓電阻R3一端接地，另一端通過一第一分壓電阻R2連接至所述的PMOS管的漏極，該NMOS管的漏極連接至所述的電源芯片的使能端。

尤佳地，上拉電阻R1的阻值滿足其產生的使能電平VCC能夠使能該電源芯片的要求，使所述的電源在流入所述的雪崩光電二極管APD的電流小于所述的閾值電流時能夠使能所述的電源芯片，且所述的PMOS管的柵源導通電壓和NMOS管的柵源導通電壓均與所述的預設范圍相匹配。