[發明專利]半導體壓力傳感器

有效

• 申請號: 201710403836.X
• 申請日: 2017-06-01
• 公開（公告）號: CN107449538B
• 公開（公告）日: 2019-12-27
• 發明（設計）人: 佐藤公敏
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: G01L9/00
• 分類號: G01L9/00
• 代理公司: 11112 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體壓力傳感器，其具有：固定電極，其位于半導體基板的主面；以及隔膜，其在所述半導體基板的厚度方向上經由空隙而至少在與所述固定電極相對的位置處在所述厚度方向上是可動的，其中，

所述隔膜具有：

可動電極；

第1絕緣膜，其位于所述可動電極的所述空隙側；

第2絕緣膜，其位于所述可動電極的與所述空隙相反側，膜種類與所述第1絕緣膜相同；以及

屏蔽膜，其與所述可動電極一起夾著所述第2絕緣膜，

還具有：第3絕緣膜，其在所述半導體基板的所述主面將所述固定電極包圍，

所述隔膜的形狀在剖視圖上的端部處呈現為固定部，該固定部在與所述半導體基板相反側固定于所述第3絕緣膜，

所述空隙還位于所述第3絕緣膜和所述隔膜之間，

所述隔膜在所述厚度方向上隔著所述空隙還與所述第3絕緣膜相對，并且，在與所述第3絕緣膜相對的位置處在所述厚度方向上是可動的。

2.根據權利要求1所述的半導體壓力傳感器，其中，

還具有：側壁，其在所述第3絕緣膜之上具有與所述固定部相鄰的相鄰面，該側壁位于所述第3絕緣膜之上，

所述相鄰面是越遠離所述第3絕緣膜則越接近所述空隙側的曲面。

3.一種半導體壓力傳感器，其具有：固定電極，其位于半導體基板的主面；以及隔膜，其在所述半導體基板的厚度方向上經由空隙而至少在與所述固定電極相對的位置處在所述厚度方向上是可動的，其中，

所述隔膜具有：

可動電極；

第1絕緣膜，其位于所述可動電極的所述空隙側；

第2絕緣膜，其位于所述可動電極的與所述空隙相反側，膜種類與所述第1絕緣膜相同；以及

屏蔽膜，其與所述可動電極一起夾著所述第2絕緣膜，

所述可動電極由在所述厚度方向上從接近所述固定電極側起依次層疊的第1多晶硅層、第2多晶硅層和第3多晶硅層構成，該第1多晶硅層具有壓縮性的內部應力，該第2多晶硅層具有拉伸性的內部應力，該第3多晶硅層具有壓縮性的內部應力，

所述屏蔽膜是具有壓縮性的內部應力的第4多晶硅層。

4.一種半導體壓力傳感器，其具有：固定電極，其位于半導體基板的主面；以及隔膜，其在所述半導體基板的厚度方向上經由空隙而至少在與所述固定電極相對的位置處在所述厚度方向上是可動的，其中，

所述隔膜具有：

可動電極；

第1絕緣膜，其位于所述可動電極的所述空隙側；

第2絕緣膜，其位于所述可動電極的與所述空隙相反側，膜種類與所述第1絕緣膜相同；以及

屏蔽膜，其與所述可動電極一起夾著所述第2絕緣膜，

所述可動電極由在所述厚度方向上從接近所述固定電極側起依次層疊的第1多晶硅層、第2多晶硅層和第3多晶硅層構成，該第1多晶硅層具有拉伸性的內部應力，該第2多晶硅層具有壓縮性的內部應力，該第3多晶硅層具有拉伸性的內部應力，

所述屏蔽膜是具有拉伸性的內部應力的第4多晶硅層。

5.一種半導體壓力傳感器，其具有：固定電極，其位于半導體基板的主面；以及隔膜，其在所述半導體基板的厚度方向上經由空隙而至少在與所述固定電極相對的位置處在所述厚度方向上是可動的，其中，

所述隔膜具有：

可動電極；

第1絕緣膜，其位于所述可動電極的所述空隙側；

第2絕緣膜，其位于所述可動電極的與所述空隙相反側，膜種類與所述第1絕緣膜相同；以及

屏蔽膜，其與所述可動電極一起夾著所述第2絕緣膜，

所述可動電極由在所述厚度方向上從接近所述固定電極側起依次層疊的第1多晶硅層和第2多晶硅層構成，該第1多晶硅層具有壓縮性的內部應力，該第2多晶硅層具有拉伸性的內部應力，

所述屏蔽膜是具有壓縮性的內部應力的第4多晶硅層。