[發明專利]制造薄膜晶體管的方法及其脫氫裝置和包括該方法制造的薄膜晶體管的有機發光顯示設備

有效

• 申請號: 201710403653.8
• 申請日: 2017-06-01
• 公開（公告）號: CN107464742B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 李誠洙
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有

1.一種制造多晶硅層的方法，所述方法包括：

減少腔室中的至少一部分氧以將腔室中的氧含量從第一值改變為100ppm或更低的第二值；其中減少腔室中的所述至少一部分氧包括：

將氧含量控制氣體注入到腔室中；和

自腔室排放所述一部分氧與至少一部分被注入的氧含量控制氣體；然后將其上形成有非晶硅層的基板插入到腔室中；

在腔室中對非晶硅層執行脫氫工藝；和

結晶化非晶硅層以形成多晶硅層；

所述方法還包括在脫氫工藝期間將氧含量控制氣體注入到所述腔室中，

其中在執行脫氫工藝之前以第一流速注入氧含量控制氣體，以及其中在脫氫工藝期間以小于第一流速的第二流速注入氧含量控制氣體。

2.如權利要求1所述的方法，其中在至少一部分的脫氫工藝期間，腔室中的氧含量被保持在100ppm或更低。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述氧含量控制氣體包括氮(N₂)氣或氬(Ar)氣。

4.如權利要求1所述的方法，其中在腔室的第一端注入氧含量控制氣體和在腔室的第二端排放一部分氧與至少一部分氧含量控制氣體，其中被注入的氧含量控制氣體自腔室的第一端向腔室的第二端在基板上方并跨過基板流動。

5.如權利要求4所述的方法，其中腔室的第一端和第二端在與基板的表面平行且高于基板的表面的平面中彼此對應。

6.如權利要求1所述的方法，其中減少腔室中的至少一部分氧包括降低腔室中的氣體壓力。

7.如權利要求6所述的方法，其中腔室中降低的氣體壓力是1atm或更低。

8.如權利要求1所述的方法，其中經由激光退火工藝結晶化非晶硅層。

9.如權利要求1所述的方法，其中執行脫氫工藝包括加熱非晶硅層。

10.一種形成薄膜晶體管(TFT)的方法，所述薄膜晶體管包括柵極、多晶硅層、柵極絕緣層、源極和漏極，其中形成多晶硅層包括：

在基板上形成非晶硅層；

將氧含量控制氣體注入到腔室中以降低腔室中的氧含量；

自腔室排放一部分氧和至少一部分被注入的氧含量控制氣體；然后

將具有非晶硅層的基板插入到腔室中；

在腔室中對非晶硅層執行脫氫工藝；和

結晶化非晶硅層以形成多晶硅層；

所述方法還包括在脫氫工藝期間將氧含量控制氣體注入到腔室中，其中在執行脫氫工藝之前以第一流速注入氧含量控制氣體，以及其中在脫氫工藝期間以小于第一流速的第二流速注入氧含量控制氣體。

11.如權利要求10所述的方法，其中腔室中的氧含量從第一值降低至100ppm或更低的第二值。