[發明專利]HVPE用氣體傳輸裝置、反應腔及HVPE設備有效
| 申請號: | 201710403458.5 | 申請日: | 2017-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN107267960B | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發明(設計)人: | 特洛伊·喬納森·貝克;謝宇;羅曉菊;王穎慧 | 申請(專利權)人: | 鎵特半導體科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/34;C30B25/14;C30B29/38 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 201306 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | hvpe 氣體 傳輸 裝置 反應 設備 | ||
1.一種HVPE用氣體傳輸裝置,其特征在于,所述HVPE用氣體傳輸裝置至少包括:含金屬前驅物氣體通路管道,屏蔽氣體通路管道,以及含氮前驅物氣體通路管道;其中:
所述含氮前驅物氣體通路管道套設于所述屏蔽氣體通路管道外,所述屏蔽氣體通路管道套設于所述含金屬前驅物氣體通路管道外,形成同軸三套管結構;
所述含金屬前驅物氣體通路管道近出口處設有孔狀封端;
其中,所述含氮前驅物氣體通路管道的長度小于所述屏蔽氣體通路管道和所述含金屬前驅物氣體通路管道的長度,所述含金屬前驅物氣體通路管道的長度小于所述屏蔽氣體通路管道的長度;
其中,所述含氮前驅物氣體通路管道為側通管道,其底端為封閉結構,其側壁上開設有至少兩個出氣孔,且出氣孔在含氮前驅物氣體通路管道的側壁上等距分布。
2.根據權利要求1所述的HVPE用氣體傳輸裝置,其特征在于,所述含氮前驅物氣體通路管道包括水平段管道及垂直于所述水平段管道的豎直段管道,且所述水平段管道的上表面開設有至少兩個出氣孔。
3.根據權利要求2所述的HVPE用氣體傳輸裝置,其特征在于,所述水平段管道為水平圓盤管道,其中所述水平段管道與所述豎直段管道同軸設置,且所述出氣孔繞所述豎直段管道的軸線在所述水平段管道的上表面等距分布。
4.根據權利要求2所述的HVPE用氣體傳輸裝置,其特征在于,所述水平段管道為水平直管道,其中所述豎直段管道垂直連接于所述水平段管道中部的上表面,且所述出氣孔對稱分布在所述水平段管道兩端的上表面。
5.根據權利要求1所述的HVPE用氣體傳輸裝置,其特征在于,所述含氮前驅物氣體通路管道的內壁與所述屏蔽氣體通路管道的外壁之間的距離大于所述屏蔽氣體通路管道的內壁與所述含金屬前驅物氣體通路管道的外壁之間的距離。
6.根據權利要求1所述的HVPE用氣體傳輸裝置,其特征在于,所述含金屬前驅物氣體通路管道的內徑為待外延襯底的尺寸的5%~120%。
7.根據權利要求1所述的HVPE用氣體傳輸裝置,其特征在于,所述含金屬前驅物氣體通路管道、所述屏蔽氣體通路管道以及所述含氮前驅物氣體通路管道的壁厚均不超過5mm。
8.根據權利要求1所述的HVPE用氣體傳輸裝置,其特征在于,所述孔狀封端設有至少一個通孔,且所述通孔均勻分布在所述孔狀封端上。
9.根據權利要求8所述的HVPE用氣體傳輸裝置,其特征在于,所述通孔的形狀為圓形、方形或者它們的組合。
10.一種反應腔,其特征在于,所述反應腔至少包括:石英腔體,以及設置于所述石英腔體內的如權利要求1~9任一項所述的HVPE用氣體傳輸裝置。
11.根據權利要求10所述的反應腔,其特征在于,所述石英腔體至少包括:上段腔體,與所述上段腔體連接的中段腔體,以及與所述中段腔體連接的下段腔體;其中,所述上段腔體和所述下段腔體均為柱形腔體,且所述上段腔體的內徑小于所述下段腔體的內徑,所述中段腔體為匹配所述上段腔體內徑和所述下段腔體內徑的變徑腔體。
12.一種HVPE設備,其特征在于,所述HVPE設備至少包括:如權利要求10所述的反應腔。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





