[發(fā)明專利]用于均勻氣相沉積的岐管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710403047.6
• 申請日: 2017-06-01
• 公開（公告）號: CN107447204B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: D·馬夸特;A·M·耶德納克三世;E·J·希羅;H·特霍斯特
• 申請（專利權(quán)）人: ASMIP控股有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 徐東升;趙蓉民

1.一種半導(dǎo)體處理裝置，所述半導(dǎo)體處理裝置包括：

岐管，所述岐管包括孔道，所述岐管具有被配置成用于沿著氣體通路混合所述岐管中的多種氣體的延長的長度，所述孔道界定所述岐管的第一端部分與所述岐管的第二端部分之間的氣體通路，沿著所述岐管的縱軸，所述第一端部分與所述第二端部分相對地安置且與所述第二端部分隔開第一距離，

其中所述孔道包括界定所述岐管的所述縱軸的軸向部分以及不平行于所述縱軸從所述軸向部分的第一端延伸的橫向部分，所述橫向部分至少部分地圍繞具有平行于所述縱軸的分量的軸線旋轉(zhuǎn)，

其中所述孔道包括偏置軸向部分，所述偏置軸向部分從所述橫向部分的第二端向下游延伸并且具有沿著所述縱軸的方向分量，所述偏置軸向部分在橫向上偏離所述縱軸而安置，

其中所述孔道包括從所述偏置軸向部分的第三端不平行于所述縱軸而延伸的第二橫向部分，所述第二橫向部分安置在所述橫向部分的下游，

其中所述氣體通路穿過所述孔道的所述軸向部分、所述橫向部分、所述偏置軸向部分和所述第二橫向部分，

其中整個所述氣體通路穿過所述孔道的所述橫向部分、所述偏置軸向部分和所述第二橫向部分，

其中所述橫向部分和所述第二橫向部分僅通過單個偏置軸向部分彼此流體連通；

其中所述氣體通路穿過所述岐管延伸大于所述第一距離的第二距離；以及

反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室安置在所述孔道的下游且與所述孔道流體連通。

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，所述裝置進(jìn)一步包括第一塊，所述第一塊具有被界定在所述第一塊的第一表面中的第一凹槽，其中所述孔道的所述橫向部分至少部分地由所述第一塊的所述第一凹槽界定。

3.如權(quán)利要求2所述的裝置，所述裝置進(jìn)一步包括第二塊，所述第二塊具有被界定在所述第二塊的第二表面中的第二凹槽，其中所述第一塊的所述第一表面被機(jī)械地連接到所述第二塊的所述第二表面，所述第一凹槽和所述第二凹槽進(jìn)行協(xié)作以至少部分地界定所述孔道的所述橫向部分。

4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述半導(dǎo)體處理裝置包括原子層沉積裝置即ALD裝置。

5.如權(quán)利要求1所述的裝置，所述裝置進(jìn)一步包括被配置成支撐襯底的襯底支撐件。

6.如權(quán)利要求5所述的裝置，所述裝置進(jìn)一步包括噴淋頭，所述噴淋頭被配置成使氣體分散到所述反應(yīng)腔室。

7.如權(quán)利要求1所述的裝置，所述裝置進(jìn)一步包括氣體分配通道，所述氣體分配通道通過供應(yīng)通道將氣體從氣體源輸送到孔道。

8.如權(quán)利要求7所述的裝置，所述裝置進(jìn)一步包括反應(yīng)物氣體閥，所述反應(yīng)物氣體閥被配置成將所述氣體選擇性地轉(zhuǎn)移到所述氣體分配通道。

9.一種半導(dǎo)體處理裝置，所述半導(dǎo)體處理裝置包括：

岐管，所述岐管包括孔道，所述岐管具有被配置成用于沿著氣體通路混合所述岐管中的多種氣體的延長的長度，所述孔道包括：

界定所述岐管的縱軸的軸向部分；

從所述軸向部分的第一端不平行于所述縱軸而延伸的橫向部分，所述橫向部分至少部分地圍繞具有平行于所述縱軸的分量的軸線旋轉(zhuǎn)；

從所述橫向部分的第二端向下游延伸并且具有沿著所述縱軸的方向分量的偏置軸向部分，所述偏置軸向部分在橫向上偏離所述縱軸而安置；以及

從所述偏置軸向部分的第三端不平行于所述縱軸而延伸的第二橫向部分，所述第二橫向部分安置在所述橫向部分的下游，

其中所述氣體通路穿過所述孔道的所述軸向部分、所述橫向部分、所述偏置軸向部分和所述第二橫向部分，

其中整個所述氣體通路穿過所述孔道的所述橫向部分、所述偏置軸向部分和所述第二橫向部分，并且

其中所述橫向部分和所述第二橫向部分僅通過單個偏置軸向部分彼此流體連通；

供應(yīng)通道，所述供應(yīng)通道沿著所述縱軸在第一位置將氣體供應(yīng)到所述孔道的所述軸向部分，所述橫向部分安置在所述第一位置下游的第二位置；以及

反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室安置在所述孔道的下游且與所述孔道流體連通。