[發明專利]一種異質結太陽能電池邊緣絕緣方法在審
| 申請號： | 201710402520.9 | 申請日： | 2017-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN108987528A | 公開（公告）日： | 2018-12-11 |
| 發明（設計）人： | 楊與勝;張超華;王樹林;宋廣華 | 申請（專利權）人： | 福建金石能源有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/074 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 導電膜層 蝕刻膏 硅片 邊緣絕緣 硅基異質結 烘烤處理 去除 異質結太陽能電池 自動化生產 印刷 太陽能電池 硅片邊緣 硅片表面 四周邊緣 背光面 成熟度 入光面 沉積 可控 制作 生產成本 清洗 電池 | ||
1.一種異質結太陽能電池邊緣絕緣方法，其特征在于，所述包括以下步驟：
提供入光面、背光面已沉積導電膜層的硅片；
在所述硅片N面導電膜層邊緣部分區域和P面導電膜層四周邊緣分別印刷蝕刻膏；
對印刷蝕刻膏后的硅片進行烘烤處理，使得蝕刻膏與硅片邊緣導電膜層及邊緣切面的導電膜層充分反應；
對烘烤處理后的硅片進行清洗，去除硅片表面的蝕刻膏與反應完成的導電膜層。
2.根據權利要求1所述一種異質結太陽能電池邊緣絕緣方法，其特征在于：所述硅片入光面為N面時，所述背光面則為P面，所述入光面為P面時，所述背光面則為N面。
3.根據權利要求1所述一種異質結太陽能電池邊緣絕緣方法，其特征在于：所述硅片表面可以形成柵線電極或沒有形成柵線電極。
4.根據權利要求1所述一種異質結太陽能電池邊緣絕緣方法，其特征在于：所述硅片的導電膜層通過磁控濺射或蒸鍍方式沉積，所述導電膜層為透明導電氧化物層或透明導電氧化物與金屬的疊層。
5.根據權利要求4所述一種異質結太陽能電池邊緣絕緣方法，其特征在于：所述透明導電氧化物層為ITO層或者摻雜其它元素的氧化銦層，厚度為50～200nm；所述金屬為Ag、Cu、AL、Ni、Ti、TiN、Sn或Ni合金中的至少一種，厚度為100～1000nm。
6.根據權利要求1所述一種異質結太陽能電池邊緣絕緣方法，其特征在于：所述蝕刻膏為強酸性，蝕刻膏粘度為10-300Pa.s。
7.根據權利要求1所述一種異質結太陽能電池邊緣絕緣方法，其特征在于：所述蝕刻膏印刷采用絲網印刷、移印、打印、噴涂等方式形成，所述蝕刻膏印刷寬度為0.05～1mm。
8.根據權利要求1所述一種異質結太陽能電池邊緣絕緣方法，其特征在于：所述印刷硅片P面蝕刻膏的臺面需對N面印刷蝕刻膏區域做凹槽處理，避免N面蝕刻膏污染印刷臺面。
9.根據權利要求1所述一種異質結太陽能電池邊緣絕緣方法，其特征在于：所述蝕刻膏進行烘烤處理的溫度80～180攝氏度，時間為2～20min。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于福建金石能源有限公司，未經福建金石能源有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710402520.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
