[發明專利]一種單面發電異質結太陽能電池的制作方法

在審

• 申請號: 201710402517.7
• 申請日: 2017-06-01
• 公開（公告）號: CN108987536A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發明（設計）人: 楊與勝;王樹林;張超華;羅騫;莊輝虎;宋廣華
• 申請（專利權）人: 福建金石能源有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;H01L31/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種單面發電異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述方法包括以下步驟：

硅片正、背面制絨，形成金字塔絨面；

在制絨后的硅片正、背面沉積非晶硅層；

在沉積非晶硅層后的硅片正、背面沉積透明導電薄膜層；

在沉積透明導電薄膜層后的硅片背面沉積金屬疊層；

在沉積金屬疊層后的硅片正、背面形成銀漿電極柵線。

2.根據權利要求1所述一種單面發電異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述硅片正、背面制絨形成的金字塔絨面寬度為2-15um，高度為2-13um。

3.根據權利要求1所述一種單面發電異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述沉積非晶硅層為通過化學氣相沉積技術在制絨后的硅片正面依次沉積第一本征非晶硅薄膜層、第一摻雜非晶硅薄膜層；在制絨后的硅片背面依次沉積第二本征非晶硅薄膜層、第二摻雜非晶硅薄膜層。

4.根據權利要求3所述一種單面發電異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述第一摻雜非晶硅薄膜層為n-型非晶硅薄膜層時，所述第二摻雜非晶硅薄膜層則為p-型非晶硅薄膜層；所述第一摻雜非晶硅薄膜層為p-型非晶硅薄膜層時，所述第二摻雜非晶硅薄膜層則為n-型非晶硅薄膜層。

5.根據權利要求3所述一種單面發電異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述第一本征非晶硅薄膜層、第一參雜非晶硅薄膜層、第二本征非晶硅薄膜層和第二參雜非晶硅薄膜層通過等離子體增強化學氣相沉積，沉積厚度均為3～10nm。

6.根據權利要求1所述一種單面發電異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述透明導電薄膜層為ITO層或者摻雜其它元素的氧化銦層，厚度為30～200nm。

7.根據權利要求1所述一種單面發電異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述金屬疊層包含金屬導電層及金屬保護層，其中金屬導電層為銅、AL、AG中的至少一種，金屬保護層為抗氧化性能的金屬材料或金屬導電氧化物材料，如鈦、鉻、ITO材料。

8.根據權利要求1所述一種單面發電異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述金屬疊層厚度為100～1000nm，方阻小于0.3Ω/□。

9.根據權利要求1所述一種單面發電異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述透明導電薄膜層和金屬疊層通過磁控濺射或蒸鍍方式沉積。

10.根據權利要求1所述一種單面發電異質結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述銀漿電極柵線通過絲網印刷方式形成，所述正面銀漿柵線電極為有細柵的多主柵電極，所述背面柵線電極為有細柵或沒有細柵的多主柵電極。