[發(fā)明專利]單晶硅棒加工成單晶硅拋光硅片的工藝

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710402195.6
• 申請日: 2017-06-01
• 公開（公告）號: CN108972919A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張進(jìn)
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇拓正茂源新能源有限公司
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00;B28D5/02;B28D5/04;B24B1/00;B24B9/06
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本發(fā)明公開了一種單晶硅棒加工成單晶硅拋光硅片的工藝，主要包括以下流程：單晶生長→切斷→外徑滾磨→端面磨削、拋光→切片→倒角→研磨→腐蝕→拋光→清洗→包裝。本發(fā)明單晶硅棒加工成單晶硅拋光硅片的工藝簡單，所需設(shè)備要求低，成本低，可提高加工效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及單晶硅技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種單晶硅棒加工成單晶硅拋光硅片的工藝。

背景技術(shù)

單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的前沿。其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽能光伏發(fā)電、供熱等。由于太陽能具有清潔、環(huán)保、方便等諸多優(yōu)勢，近三十年來，太陽能利用技術(shù)在研究開發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場開拓方面都獲得了長足發(fā)展，成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。單晶硅可以用于二極管級、整流器件級、電路級以及太陽能電池級單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造，其后續(xù)產(chǎn)品集成電路和半導(dǎo)體分離器件已廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域，在軍事電子設(shè)備中也占有重要地位。在光伏技術(shù)和微小型半導(dǎo)體逆變器技術(shù)飛速發(fā)展的今天，利用硅單晶所生產(chǎn)的太陽能電池可以直接把太陽能轉(zhuǎn)化為光能，實現(xiàn)了邁向綠色能源革命的開始。北京2008年奧運會將把綠色奧運作為重要展示面向全世界展現(xiàn)，單晶硅的利用在其中將是非常重要的一環(huán)?，F(xiàn)在，國外的太陽能光伏電站已經(jīng)到了理論成熟階段，正在向?qū)嶋H應(yīng)用階段過渡，太陽能硅單晶的利用將是普及到全世界范圍，市場需求量不言而喻?，F(xiàn)有技術(shù)中單晶硅加工工藝，對加工設(shè)備要求高，成本高，工藝復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種單晶硅棒加工成單晶硅拋光硅片的工藝。

為解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種單晶硅棒加工成單晶硅拋光硅片的工藝，所述的工藝包括以下步驟：

切斷

切除單晶硅棒的頭部、尾部，將單晶硅棒切成的長度；

外徑磨削

采用外圓磨床對切斷后的單晶硅進(jìn)行外徑滾磨；

端面磨削

采用數(shù)控單晶硅端面磨床對所述單晶硅進(jìn)行端面磨削；

切片

將所述磨削后的單晶硅棒切成預(yù)設(shè)幾何尺寸的薄晶片；

倒角

采用倒角機(jī)將切割成的晶片稅利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度；

研磨

采用雙面研磨機(jī)對倒角后的單晶硅晶片進(jìn)行研磨；所述研磨采用的原料包括：研磨漿料和滑浮液；

腐蝕

采用化學(xué)腐蝕去除晶片表面受加工應(yīng)力而形成的損傷層；

拋光

采用拋光機(jī)對腐蝕處理后的所述單晶硅片表面進(jìn)行拋光；

清洗

采用RCA濕式化學(xué)洗凈方法對所述拋光后的單晶硅片進(jìn)行清洗。

更進(jìn)一步的技術(shù)方案是所述的切斷步驟中是采用四方切割機(jī)進(jìn)行切斷。

更進(jìn)一步的技術(shù)方案是所述的切片步驟中是采用內(nèi)園切割機(jī)或線切割機(jī)進(jìn)行切片。

更進(jìn)一步的技術(shù)方案是所述的研磨漿料的成份包括：氧化鋁、鉻砂和水。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明單晶硅棒加工成單晶硅拋光硅片的工藝簡單，所需設(shè)備要求低，成本低，可提高加工效率。

具體實施方式

下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步闡述。