[發明專利]基于直拉法生長單晶硅的方法在審
| 申請號： | 201710402193.7 | 申請日： | 2017-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN108977878A | 公開（公告）日： | 2018-12-11 |
| 發明（設計）人： | 張進 | 申請（專利權）人： | 江蘇拓正茂源新能源有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 221600 江蘇省徐州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 直拉法 單晶 生長 單晶硅 制備 大直徑單晶 直拉硅單晶 氬氣 等徑生長 低電阻率 流程準備 生產效率 充氬氣 真空泵 拆爐 放肩 細頸 引晶 裝爐 加熱 抽空 收尾 停電 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于直拉法生長單晶硅的方法，其特征在于：所述的方法包括以下步驟：
步驟一、裝料
將料裝入坩堝中；且在裝料之前，在坩堝底部預先放置碎料；
步驟二、抽空撿漏
閉合好爐子后，開啟真空泵按扭，再打開真空球閥，控制抽真空時間不小于40分鐘；
步驟三、化料
檢查各項數據應處于初始值，確認水路暢通、水壓達工藝要求；充5分鐘氬氣后啟動加熱電源，分三次1小時內加到化料功率最高功率不能超過85kw；
步驟四、引晶
把堝位放置在引晶堝位，晶轉、鍋轉設定為拉晶要求參數，根據上爐次的引晶溫度調節溫度，然后下降籽晶至液面30mm時預熱5到10分鐘；當光圈穩定時，開始引晶；
步驟五、放肩；
步驟六、等徑
等徑過程中，實時關注晶體直徑變化，若發現直徑超標，則做相應降溫或升溫調整；
步驟七、收尾
當等徑生長到投料量的92%時開始收尾；
步驟八、停爐。
2.根據權利要求1所述的基于直拉法生長單晶硅的方法，其特征在于所述的步驟四中引晶時，根據光圈大小調整引晶速度，引晶平均拉速控制在2—6mm/min。
3.根據權利要求2所述的基于直拉法生長單晶硅的方法，其特征在于所述的引晶過程中，細頸直徑控制在3—5mm之間，當細頸小于3mm時，回熔重引。
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