[發明專利]太陽能電池板的多晶硅薄膜制備方法在審
| 申請號： | 201710402180.X | 申請日： | 2017-06-01 |
| 公開（公告）號： | CN108987526A | 公開（公告）日： | 2018-12-11 |
| 發明（設計）人： | 張進 | 申請（專利權）人： | 江蘇拓正茂源新能源有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 221600 江蘇省徐州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 多晶硅薄膜 非晶硅薄膜 襯底 太陽能電池板 薄膜表層 玻璃基板 激光脈沖 熱能效應 多晶硅 非晶硅 高能量 混合體 脈沖 晶化 入射 薄膜 發熱 透明 | ||
【權利要求書】：
1.一種太陽能電池板的多晶硅薄膜制備方法，其特征在于：所述的方法包括以下步驟：
利用瞬間激光脈沖產生的高能量入射到非晶硅薄膜表面，僅在薄膜表層100nm厚的深度產生熱能效應，使非晶硅薄膜在瞬間達到不低于1000℃，從而實現非晶硅薄膜向多晶硅薄膜的轉變。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池板的多晶硅薄膜制備方法，其特征在于所述的瞬間激光脈沖是激光脈沖的15～50ns 激光脈沖產生的能量，所述激光脈沖的15～50ns 激光脈沖產生的能量被非晶硅薄膜吸收并轉化為相變能。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池板的多晶硅薄膜制備方法，其特征在于所述的非晶硅薄膜的襯底采用玻璃基板作為襯底。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
