[發明專利]一種減小STI-CMP過程中碟型凹陷的方法有效
| 申請號： | 201710401452.4 | 申請日： | 2017-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN107017161B | 公開（公告）日： | 2020-01-24 |
| 發明（設計）人： | 楊鈺;李虎;張守龍;趙正元;曹玉榮;于明非 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306;H01L21/762 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 減小 sti cmp 過程 碟型 凹陷 方法 | ||
1.一種減小STI-CMP過程中碟型凹陷的方法，其特征在于，包括下列步驟：
在對淺溝槽隔離結構的表面進行化學機械研磨前，在絕緣層上沉積一層氮化硅層；
研磨去除所述絕緣層表面凸處氮化硅層；
研磨去除凸處氮化硅層下方的絕緣層，同時研磨去除凹處表面氮化硅層；
研磨去除剩余絕緣層，直到接觸到阻擋層；
過研磨去除所述阻擋層表面的殘留物；
其中，所述絕緣層的材料采用氧化硅，所述研磨去除所述絕緣層表面凸處氮化硅層、所述研磨去除凸處氮化硅層下方的絕緣層以及所述研磨去除剩余絕緣層均采用氧化硅研磨液，所述氮化硅層的厚度范圍為50至1000埃，所述絕緣層的厚度范圍為2500至5000埃。
2.根據權利要求1所述的減小STI-CMP過程中碟型凹陷的方法，其特征在于，所述淺溝槽隔離結構采用以下方法形成：
在半導體襯底上形成氧化層，并且在氧化層上形成阻擋層；
在上述結構上形成淺溝槽；
將絕緣材料填入所述淺溝槽中，多余的絕緣材料高于阻擋層形成絕緣層。
3.根據權利要求2所述的減小STI-CMP過程中碟型凹陷的方法，其特征在于，所述氧化層的厚度范圍為70至120埃。
4.根據權利要求2所述的減小STI-CMP過程中碟型凹陷的方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度范圍為400至1450埃。
5.根據權利要求2所述的減小STI-CMP過程中碟型凹陷的方法，其特征在于，所述阻擋層的材料采用氮化硅、氮氧化硅、碳化硅之一或是其任意組合。
6.根據權利要求2所述的減小STI-CMP過程中碟型凹陷的方法，其特征在于，所述絕緣材料采用高密度等離子化學氣相沉積法或高深寬比填充工藝形成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
