[發(fā)明專利]一種低損傷層微倒角的多晶硅片及其加工工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710400127.6 | 申請日： | 2017-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN107093627B | 公開（公告）日： | 2023-09-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王晨;陳董良 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇美科太陽能科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L21/304;B32B9/00;B32B27/06;B32B27/18;B32B27/30;B32B37/00 |
| 代理公司： | 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 任立 |
| 地址： | 212200 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 損傷 倒角 多晶 硅片 及其 加工 工藝 | ||
1.一種低損傷層微倒角的多晶硅片的加工工藝,所述多晶硅片為矩形,?所述多晶硅片的四角設(shè)置有倒角，所述倒角的輪廓為直線形的倒角邊線，所述多晶硅片的倒角邊線的長度為0.1mm-0.5mm，所述多晶硅片的表面覆蓋有EVA膠膜，所述倒角的角度為45°，所述多晶硅片的厚度為0.3-0.67mm，所述EVA膠膜的厚度為0.1-0.9mm，所述多晶硅片的倒角損傷深度為15um，其特征在于：所述低損傷層微倒角的多晶硅片的加工工藝包括以下步驟：
（1）使用夾具固定待加工多晶硅片；
（2）調(diào)整倒角磨輪間距，倒角磨輪使用砂輪的目數(shù)為1000-8000目；
（3）打磨多晶硅片至少四次，制得倒角；
（4）將制得倒角的多晶硅片進行雙面磨削；
（5）將多晶硅片進行常規(guī)酸洗；
（6）將多晶硅片進行雙面拋光；
（7）將多晶硅片進行單面精拋和清洗；
（8）在多晶硅片的表面復(fù)合EVA膠膜，制得最終的低損傷層微倒角的多晶硅片；
所述EVA膠膜的組分的質(zhì)量百分比為：硅烷偶聯(lián)劑：1.35-2.56%，交聯(lián)固化劑：0.85-0.96%，熱穩(wěn)定劑：0.65-0.76%，增粘劑：0.22-0.36%，抗氧劑：0.34-0.45%，紫外線吸收劑：1.46-1.88%，光穩(wěn)定劑：0.52-0.76%，余量為乙烯-醋酸乙烯的共聚物。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江蘇美科太陽能科技股份有限公司，未經(jīng)江蘇美科太陽能科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710400127.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
