[發明專利]抗電磁干擾的微波功率分配器及其制作方法

在審

• 申請號: 201710399395.0
• 申請日: 2017-05-31
• 公開（公告）號: CN107204505A
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發明（設計）人: 劉秀博;王紹東;王志強
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01P5/12
• 分類號: H01P5/12;H01P11/00
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所13120
• 代理人: 蘇英杰

1.一種抗電磁干擾的微波功率分配器，其特征在于：包括頂層硅基基板（1）、底層硅基基板（2）、電阻薄膜（7）、頂金屬層（3）、中間金屬層（4）和底金屬層（5）；頂層硅基基板（1）和底層硅基基板（2）上均設有通孔（6），頂層硅基基板（1）的下表面和底層硅基基板（2）的上表面連接，頂層硅基基板（1）和底層硅基基板（2）接觸部分設有微波傳輸線金屬層（8）和中間金屬層（4），電阻薄膜（7）位于底層硅基基板（2）的上表面，頂金屬層（3）位于頂層硅基基板（1）的上表面，底金屬層（5）位于底層硅基基板（2）的下表面。

2.根據權利要求１所述的抗電磁干擾的微波功率分配器，其特征在于：所述頂層硅基基板（1）和底層硅基基板（2）的厚度均為250微米。

3.根據權利要求１所述的抗電磁干擾的微波功率分配器，其特征在于：所述通孔（6）直徑為120微米。

4.根據權利要求１所述的抗電磁干擾的微波功率分配器，其特征在于：所述頂金屬層（3）、中間金屬層（4）和底金屬層（5）厚度均為3.5微米。

5.根據權利要求１所述的抗電磁干擾的微波功率分配器，其特征在于：所述電阻薄膜（7）為氮化鉭。

6.根據權利要求１所述的抗電磁干擾的微波功率分配器，其特征在于：所述頂層硅基基板（1）的下表面和底層硅基基板（2）的上表面為鍵合連接。

7.根據權利要求6所述的抗電磁干擾的微波功率分配器，其特征在于：所述鍵合連接為金金鍵合連接。

8.根據權利要求１所述的抗電磁干擾的微波功率分配器，其特征在于：所述微波傳輸線金屬層（8）的形狀為帶狀結構。

9.一種抗電磁干擾的微波功率分配器的制作方法，其特征在于：包括以下步驟：

將硅基基板表面涂覆光刻膠，形成掩膜層，所述硅基基板包括頂層硅基基板（1）和底層硅基基板（2）；

對形成掩膜層的硅基基板進行光刻顯影電鍍，形成金屬圖形；

在硅基基板上制造通孔（6），在底層硅基基板（2）上表面沉積形成電阻薄膜（7）；

在硅基基板表面進行電鍍，加厚金屬層；

將頂層硅基基板（1）和底層硅基基板（2）進行鍵合，頂層硅基基板（1）的下表面和底層硅基板（2）的上表面連接。

10.根據權利要求9所述的抗電磁干擾的微波功率分配器的制作方法，其特征在于：在所述硅基基板上利用深反應離子刻蝕工藝制造通孔（6）。