[發(fā)明專利]顯示基板的制備方法、顯示基板和顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710399105.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107170760B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-12-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙娜;鄧立赟 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司: | 11112 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 羅瑞芝;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,包括襯底,其特征在于,還至少包括依次層疊設(shè)置于所述襯底上方的第一絕緣圖形層、第一金屬圖形層、第二絕緣圖形層和第二金屬圖形層,所述第一絕緣圖形層和所述第二絕緣圖形層均分別設(shè)置為交錯(cuò)分割的面狀結(jié)構(gòu),所述第一金屬圖形層和所述第二金屬圖形層至少局部相連接;
所述第一絕緣圖形層中開(kāi)設(shè)有多個(gè)第一通孔,所述第二絕緣圖形層中開(kāi)設(shè)有多個(gè)第二通孔,所述第一通孔和所述第二通孔在所述襯底的正投影方向上互相交錯(cuò)、但互不重疊;
所述第一通孔包括垂直交叉開(kāi)設(shè)在所述第一絕緣圖形層中的多條第一長(zhǎng)條孔和多條第二長(zhǎng)條孔,所述第二通孔包括垂直交叉開(kāi)設(shè)在所述第二絕緣圖形層中的多條第三長(zhǎng)條孔和多條第四長(zhǎng)條孔;并且,所述第一長(zhǎng)條孔與所述第四長(zhǎng)條孔互相交叉,所述第二長(zhǎng)條孔與所述第三長(zhǎng)條孔互相交叉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一通孔在所述第一絕緣圖形層中均勻分布,所述第二通孔在所述第二絕緣圖形層中均勻分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一長(zhǎng)條孔與所述第三長(zhǎng)條孔互相平行,所述第二長(zhǎng)條孔與所述第四長(zhǎng)條孔互相平行;所述第一長(zhǎng)條孔與所述第四長(zhǎng)條孔互相垂直。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,相鄰的所述第一長(zhǎng)條孔和所述第三長(zhǎng)條孔之間的間距范圍為2-3微米,相鄰的所述第二長(zhǎng)條孔和所述第四長(zhǎng)條孔的之間的間距范圍為2-3微米;兩兩相鄰的所述第一長(zhǎng)條孔之間的間距范圍為2-3微米,兩兩相鄰的所述第三長(zhǎng)條孔之間的間距范圍為2-3微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一長(zhǎng)條孔和所述第二長(zhǎng)條孔的孔寬范圍分別為1-2微米,所述第三長(zhǎng)條孔和所述第四長(zhǎng)條孔的孔寬范圍分別為1-2微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的顯示基板,其特征在于,所述第一絕緣圖形層為柵絕緣層,所述柵絕緣層與所述襯底之間設(shè)置有包括柵極和柵線的圖形;
所述第一金屬圖形層為包括源極和數(shù)據(jù)線/漏極的圖形,所述源極/漏極與所述柵絕緣層之間設(shè)置有包括有源層的圖形;
所述第二絕緣圖形層為鈍化層,所述鈍化層設(shè)置于所述源極/漏極遠(yuǎn)離所述有源層的一側(cè);
所述第二金屬圖形層為包括像素電極的圖形,所述像素電極設(shè)置于所述鈍化層遠(yuǎn)離所述源極/漏極的一側(cè),所述漏極與所述像素電極通過(guò)貫通所述所述鈍化層的過(guò)孔相連接。
7.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的顯示基板。
8.一種顯示基板的制備方法,其特征在于,包括依次在襯底上方層疊設(shè)置第一絕緣圖形層、第一金屬圖形層、第二絕緣圖形層和第二金屬圖形層的步驟,其中:所述第一絕緣圖形層和所述第二絕緣圖形層均分別設(shè)置為交錯(cuò)分割的面狀結(jié)構(gòu),所述第一金屬圖形層和所述第二金屬圖形層至少局部相連接;
所述第一絕緣圖形層中開(kāi)設(shè)有多個(gè)第一通孔,所述第二絕緣圖形層中開(kāi)設(shè)有多個(gè)第二通孔,所述第一通孔和所述第二通孔在所述襯底的正投影方向上互相交錯(cuò)、但互不重疊;
所述第一通孔包括垂直交叉開(kāi)設(shè)在所述第一絕緣圖形層中的多條第一長(zhǎng)條孔和多條第二長(zhǎng)條孔,所述第二通孔包括垂直交叉開(kāi)設(shè)在所述第二絕緣圖形層中的多條第三長(zhǎng)條孔和多條第四長(zhǎng)條孔;并且,所述第一長(zhǎng)條孔與所述第四長(zhǎng)條孔互相交叉,所述第二長(zhǎng)條孔與所述第三長(zhǎng)條孔互相交叉。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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