[發明專利]耐高溫量子點材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201710399103.3
• 申請日: 2017-05-31
• 公開（公告）號: CN108975681A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發明（設計）人: 程陸玲;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: C03C3/062
• 分類號: C03C3/062;C03C3/07;B82Y30/00;B82Y40/00;C09K11/56;C09K11/66
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 左光明

1.一種耐高溫量子點材料的制備方法，包括以下步驟：

按照量子點所含元素預定的化學計量比，將金屬硫化物、金屬硒化物中的至少一種與玻璃料、第一金屬氧化物進行混料處理，形成混合物料；

將所述混合物料進行熔融處理，形成熔融玻璃液；

將所述熔融玻璃液進行定型冷卻處理，形成玻璃體；

將所述玻璃體進行切片處理，獲得納米玻璃片；

將所述納米玻璃片進行退火處理。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述玻璃料包括第IVA族非金屬氧化物和第二金屬氧化物；所述第二金屬氧化物包括第IA族第二金屬氧化物、第IIA族第二金屬氧化物、第IIIA族第二金屬氧化物中的至少一種；其中，

所述第IVA族非金屬氧化物占所述混合物料總質量的20-40％，

所述第IA族第二金屬氧化物占所述混合物料總質量的5-10％，

所述第IIA族第二金屬氧化物占所述混合物料總質量的8-15％，

所述第IIIA族第二金屬氧化物占所述混合物料總質量的20-30％。

3.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于：所述第IVA族非金屬氧化物為SiO₂、GeO₂中的至少一種，

所述第IA族第二金屬氧化物為Na₂O、K₂O中的至少一種，

所述第IIA族第二金屬氧化物為MgO、BaO、CaO中的至少一種，

所述第IIIA族第二金屬氧化物為Al₂O₃、Ga₂O₃中的至少一種。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述第一金屬氧化物包括第IVA族第一金屬氧化物、第IB族第一金屬氧化物、第IIB族第一金屬氧化物中的至少一種，其中，

所述第IVA族第一金屬氧化物占所述混合物料總質量的20-40％，

所述第IB族第一金屬氧化物占所述混合物料總質量的0.1-2％，

所述第IIB族第一金屬氧化物占所述混合物料總質量的6-12％。

5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于：所述第IVA族第一金屬氧化物為PbO、SnO中的至少一種，

所述第IB族第一金屬氧化物為AgO、CuO中的至少一種，

所述第IIB族第一金屬氧化物為CdO、HgO、ZnO中的至少一種。

6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述金屬硫化物包括第IA族金屬硫化物、第IIA族金屬硫化物、第IIB族金屬硫化物、第IIIA族金屬硫化物、第IVA族金屬硫化物中的至少一種；其中，

所述第IA族金屬硫化物占所述混合物料總質量的1-5％，

所述第IIA族金屬硫化物占所述混合物料總質量的5-8％，

所述第IIB族金屬硫化物占所述混合物料總質量的4-8％，

所述第IIIA族金屬硫化物占所述混合物料總質量的2-16％，

所述第IVA族金屬硫化物占所述混合物料總質量的5-10％。

7.如權利要求1或6所述的制備方法，其特征在于：所述第IA族金屬硫化物為Na₂S、K₂S中的至少一種，

所述第IIA族金屬硫化物為MgS、BaS、CaS中的至少一種，

所述第IIB族金屬硫化物為ZnS、CdO、HgS中的至少一種，

所述第IIIA族金屬硫化物為Al₂S₃、Ga₂S₃中的至少一種，

所述第IVA族金屬硫化物為PbS、SnS中的至少一種。