[發明專利]一種改善GaAs基LED芯片切割過程中掉管芯的方法有效
| 申請號： | 201710398203.4 | 申請日： | 2017-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN107068820B | 公開（公告）日： | 2019-03-01 |
| 發明（設計）人： | 鄭軍;邢建國;閆寶華;湯福國;劉琦;徐現剛 | 申請（專利權）人： | 山東浪潮華光光電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 261061 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 gaas led 芯片 切割 過程 管芯 方法 | ||
1.一種改善GaAs基LED芯片切割過程中掉管芯的方法，其特征在于，包括如下步驟：
a)利用鋸片在LED芯片表面進行半切，形成縱橫交錯的切割槽，將LED芯片P面電極等間距分隔；
b)對半切后的LED芯片進行烘烤；
c)對烘烤后的LED芯片進行藍膜貼膜；
d)將藍膜貼膜后的LED芯片進行二次烘烤；
e)將二次烘烤后的LED芯片進行全切，形成N個獨立的管芯；
f)將全切后的LED芯片清洗后進行擴膜。
2.根據權利要求1所述的改善GaAs基LED芯片切割過程中掉管芯的方法，其特征在于：所述步驟a)中LED芯片半切時，鋸片先沿與芯片大解理邊垂直的方向進行半切，再沿平行大解理邊的方向進行全面半切。
3.根據權利要求1所述的改善GaAs基LED芯片切割過程中掉管芯的方法，其特征在于：所述步驟a)中P面半切時鋸片的刀高設定為120-150μm，鋸片切割速度為10-70mm/s，鋸片刀刀刃伸出量為550-600μm，切割槽寬度為20-25μm。
4.根據權利要求1或2或3所述的改善GaAs基LED芯片切割過程中掉管芯的方法，其特征在于：所述步驟a)中LED芯片半切的深度為其厚度的20%-25%。
5.根據權利要求1所述的改善GaAs基LED芯片切割過程中掉管芯的方法，其特征在于：所述步驟b)中的烘烤溫度為50±3℃，烘烤時間為110±10s。
6.根據權利要求1所述的改善GaAs基LED芯片切割過程中掉管芯的方法，其特征在于：所述步驟c)中采用規格為SPV-224，尺寸為220mm×100mm的藍膜，貼膜機加熱溫度為50±3℃。
7.根據權利要求1所述的改善GaAs基LED芯片切割過程中掉管芯的方法，其特征在于：所述步驟d)中烘烤溫度為70±3℃，烘烤時間為110±10s。
8.根據權利要求1所述的改善GaAs基LED芯片切割過程中掉管芯的方法，其特征在于：所述步驟e)中全切時鋸片的刀高設定為40-100μm，鋸片切割速度為10-40mm/s，鋸片刀刀刃伸出量為550-600μm，切割槽寬度為15-20μm。
9.根據權利要求1所述的改善GaAs基LED芯片切割過程中掉管芯的方法，其特征在于：所述步驟f)中LED芯片清洗時間為110±10S，擴膜溫度為75±3℃。
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