[發(fā)明專利]用于產(chǎn)生參考電壓的包括存儲器單元的存儲器裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710397863.0
• 申請日: 2017-05-31
• 公開（公告）號: CN107527637B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 車秀鎬;金燦景;樸晟喆;宋鎬永;崔光哲
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;G11C7/12;G11C8/08
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);尹淑梅

本專利申請要求于2016年6月20日提交的第10-2016-0076693號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用被全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例總體上涉及存儲器裝置，更具體地，涉及一種產(chǎn)生參考電壓的存儲器裝置。

背景技術(shù)

通常，存儲器裝置被分成易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。易失性存儲器裝置相比于非易失性存儲器裝置具有較高的讀取和寫入速度。易失性存儲器裝置可以包括動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)。

存儲器裝置已經(jīng)廣泛地用于移動裝置和諸如臺式計(jì)算機(jī)的其它電子裝置中。存儲器裝置的容量隨著在制造工藝技術(shù)方面的進(jìn)步而持續(xù)增大。

為了實(shí)現(xiàn)高容量存儲器裝置，可以在存儲器單元中存儲兩位或更多位。因此，需要能夠感測存儲在存儲器單元中的多個位的存儲器裝置。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明構(gòu)思的至少一個實(shí)施例涉及一種用于產(chǎn)生參考電壓的包括存儲器單元的存儲器裝置。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲器裝置包括第一存儲器單元、第二存儲器單元、第三存儲器單元、位線感測放大器以及連接到第一位線、第二位線和位線感測放大器的開關(guān)電路。第一存儲器單元連接到第一字線和第一位線。第二存儲器單元連接到第一字線和第二位線。第三存儲器單元連接到第一字線和第三位線。位線感測放大器連接到第三位線。開關(guān)電路執(zhí)行第一存儲器單元與第一位線之間的電荷共享以產(chǎn)生第一參考電壓，并且執(zhí)行第二存儲器單元與第二位線之間的電荷共享以產(chǎn)生第二參考電壓。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲器裝置包括：參考電壓產(chǎn)生電路，具有結(jié)合在第一字線與第一位線之間的第一存儲器單元和結(jié)合在第一字線與第二位線之間的第二存儲器單元；第三存儲器單元，連接到第一字線和第三位線；位線感測放大器，連接到第三位線。參考電壓產(chǎn)生電路通過執(zhí)行第一存儲器單元與第一位線之間的電荷共享來產(chǎn)生第一參考電壓，并且通過執(zhí)行第二存儲器單元與第二位線之間的電荷共享來產(chǎn)生第二參考電壓。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲器裝置包括：控制器，被配置為產(chǎn)生第一控制信號和第二控制信號；第一存儲器單元，連接到第一字線和第一位線；第二存儲器單元，連接到第一字線和第二位線；第三存儲器單元，連接到第一字線和第三位線；位線感測放大器，連接到第三位線；第一開關(guān)電路，被配置為響應(yīng)于第一控制信號而將第一位線連接到第一參考電壓線并且將第二位線連接到第二參考電壓線；第二開關(guān)電路，被配置為響應(yīng)于第二控制信號而將第一參考電壓線和第二參考電壓線中的一條參考電壓線連接到位線感測放大器。

附圖說明

圖1是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲器裝置的框圖；

圖2至圖4分別是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的參考電壓產(chǎn)生電路的框圖；

圖5和圖6分別是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲器裝置的框圖；

圖7至圖10分別是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲器裝置的操作的時序圖；以及

圖11至圖15分別是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲器裝置的框圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將描述發(fā)明構(gòu)思的結(jié)合附圖的示例性實(shí)施例。以下，提供諸如詳細(xì)的構(gòu)造和結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)以幫助讀者理解發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例。因此，在不脫離發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的情況下，可以各種地改變或修改在此描述的實(shí)施例。

圖1是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的存儲器裝置10的框圖。如所示的，存儲器裝置10包括第一存儲器單元(MC)11、第二存儲器單元12、第三存儲器單元13、位線感測放大器(BLSA)14和開關(guān)電路15。參考電壓產(chǎn)生電路16包括第一存儲器單元11、第二存儲器單元12和開關(guān)電路15。

第一存儲器單元11連接到第一字線WL1和第一位線BL1。第一存儲器單元11可以是包括一個n溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管和一個電容器的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)單元。當(dāng)?shù)谝蛔志€WL1被施加有高電壓時，在第一存儲器單元11與第一位線BL1之間可以發(fā)生電荷共享(charge sharing)。例如，對存儲器單元11和12的晶體管的柵極端子施加高電壓使這些晶體管導(dǎo)通并且將存儲器單元內(nèi)的電容器的電壓輸出到它們相應(yīng)的位線。