[發明專利]存儲元件的制造方法

在審

• 申請號: 201710396986.2
• 申請日: 2017-05-31
• 公開（公告）號: CN108987402A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發明（設計）人: 劉重顯;陳俊旭;蔣汝平
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種存儲元件的制造方法，包括：

在襯底上依序形成第一介電層與第一導體層；

在所述襯底、所述第一介電層以及所述第一導體層中形成第一開口與位于所述第一開口上的第二開口；

在所述第一開口中形成隔離結構，其中所述隔離結構的頂面低于所述第一導體層的頂面；

在所述襯底上形成第二介電層，使得所述第二介電層共形覆蓋所述第一導體層的頂面與所述第二開口的表面；

對所述第二介電層進行熱處理，以強化所述第二介電層與所述第一導體層之間的鍵結；

進行蝕刻工藝，移除所述第二介電層的一部分，以暴露出所述隔離結構的頂面；以及

在所述襯底上形成第三介電層，使得所述第三介電層覆蓋所述第二介電層的剩余部分與所述隔離結構的頂面。

2.根據權利要求1所述的存儲元件的制造方法，其中所述熱處理包括快速熱退火處理。

3.根據權利要求2所述的存儲元件的制造方法，其中所述快速熱退火處理的溫度為850℃至1050℃，所述快速熱退火處理的時間為1秒至60秒。

4.根據權利要求2所述的存儲元件的制造方法，其中所述快速熱退火處理的溫度為950℃至1000℃，所述快速熱退火處理的時間為1秒至10秒。

5.根據權利要求1所述的存儲元件的制造方法，其中所述第一介電層為穿隧介電層，其材料包括氧化硅，所述第三介電層包括由氧化硅/氮化硅/氧化硅/氮化硅所構成的復合層結構。

6.根據權利要求1所述的存儲元件的制造方法，其中所述第二介電層的材料包括氮化硅、氮氧化硅或其組合。

7.根據權利要求1所述的存儲元件的制造方法，其中所述第一導體層為浮置柵極，其材料包括多晶硅。

8.根據權利要求1所述的存儲元件的制造方法，移除所述第二介電層的所述部分之后，覆蓋在所述第一導體層上的所述第二介電層的剩余部分的厚度小于等于

9.根據權利要求1所述的存儲元件的制造方法，在形成所述第三介電層之后，還包括于所述襯底上形成第二導體層，使得所述第二導體層填入所述第二開口中。

10.根據權利要求9所述的存儲元件的制造方法，其中所述第一導體層為浮置柵極，所述第二導體層為控制柵極，而介于所述第一導體層與所述第二導體層之間的所述第二介電層與所述第三介電層為柵間介電層。