[發(fā)明專利]發(fā)光二極管芯片的制造方法和發(fā)光二極管芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710396737.3
• 申請日: 2017-05-31
• 公開（公告）號: CN107464872B
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 岡村卓
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L33/58
• 分類號: H01L33/58
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;喬婉

1.一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片的制造方法具有如下的工序：

晶片準備工序，準備如下的晶片：該晶片在晶體成長用基板上具有層疊體層，在該層疊體層的正面上的由互相交叉的多條分割預(yù)定線劃分出的各區(qū)域中分別形成有LED電路，其中，所述層疊體層形成有包含發(fā)光層在內(nèi)的多個半導(dǎo)體層；

透明基板加工工序，在透明基板的正面上與該晶片的各LED電路對應(yīng)地形成多個槽；

一體化工序，在實施了該透明基板加工工序之后，將該透明基板的正面粘貼在該晶片的背面上而形成一體化晶片，在該一體化晶片中，所述透明基板的形成有所述多個槽的正面直接與所述晶片的所述晶體成長用基板的平坦表面粘貼，只通過各槽的表面與所述晶體成長用基板的平坦表面來形成使光發(fā)生復(fù)雜折射的空間；以及

分割工序，沿著該分割預(yù)定線將該晶片與該透明基板一起切斷而將該一體化晶片分割成各個發(fā)光二極管芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其中，

在該透明基板加工工序中形成的所述槽的截面形狀為三角形、四邊形以及半圓形中的任意形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其中，

在該透明基板加工工序中，通過切削刀具、蝕刻、噴沙以及激光中的任意方式來形成所述槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其中，

該透明基板由透明陶瓷、光學玻璃、藍寶石以及透明樹脂中的任意材料形成，在該一體化工序中使用透明粘接劑將該透明基板粘貼在該晶片上。

5.一種發(fā)光二極管芯片，其中，

該發(fā)光二極管芯片具有：

發(fā)光二極管，其在正面上形成有LED電路；以及

透明部件，其直接粘貼在該發(fā)光二極管的未形成所述LED電路的平坦的背面上，

在該透明部件的與該發(fā)光二極管的未形成所述LED電路的所述平坦的背面直接粘貼的面上形成有槽，只通過各槽的表面與所述發(fā)光二極管的平坦的背面來形成使光發(fā)生復(fù)雜折射的空間。