[發(fā)明專利]一種電平轉(zhuǎn)換電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710394928.6
• 申請(qǐng)日: 2017-05-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107196640A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)沙方星騰電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H03K19/0175
• 分類號(hào): H03K19/0175
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電平轉(zhuǎn)換電路。

背景技術(shù)

電平轉(zhuǎn)換電路，即為具有低電壓工作范圍的電路與具有高電壓工作范圍的電路之間的轉(zhuǎn)換接口，是集成電路中非常重要的一種接口電路。通過(guò)電平轉(zhuǎn)換電路，可以將信號(hào)從一個(gè)電源域轉(zhuǎn)換到另一個(gè)電源域，方便信號(hào)在各自的電源域里進(jìn)行各自的信號(hào)處理。

傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路如圖1所示，反相器INV1、第一PMOS晶體管P1、第二PMOS晶體管P2、第一NMOS晶體管N1和第二NMOS晶體管N2；反相器INV1的輸入端接電平轉(zhuǎn)換電路的輸入端U_in，輸出接第一NMOS晶體管N1的柵極；第一NMOS晶體管N1的源極接地，漏極接第一PMOS晶體管P1的漏極和第二PMOS晶體管P2的柵極；第一PMOS晶體管P1的源級(jí)接電源，柵極接輸出端U_out；第二NMOS晶體管N2的柵極接電平轉(zhuǎn)換電路的輸入U(xiǎn)_in，柵極接第二PMOS晶體管P2的漏極，源極接地；第二PMOS晶體管P2的源級(jí)接電源，漏極接輸出U_out。

這種傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路，存在NMOS晶體管和PMOS晶體管同時(shí)導(dǎo)通導(dǎo)致電平轉(zhuǎn)換不正確的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

為解決現(xiàn)有電平轉(zhuǎn)換電路中存在NMOS晶體管和PMOS晶體管同時(shí)導(dǎo)通導(dǎo)致電平轉(zhuǎn)換不正確的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種電平轉(zhuǎn)換正確的電平轉(zhuǎn)換電路。

一種電平轉(zhuǎn)換電路，包括：反相器INV1、第一PMOS晶體管P1、第二PMOS晶體管P2、第三PMOS晶體管P3、第四PMOS晶體管P4、第一NMOS晶體管N1和第二NMOS晶體管N2；反相器INV1的輸入端接電平轉(zhuǎn)換電路的輸入端U_in，輸出接第一PMOS晶體管P1的柵極和第一NMOS晶體管N1的柵極；第一NMOS晶體管N1的源極接地，漏極接第一PMOS晶體管P1的漏極和第四PMOS晶體管P4的柵極；第一PMOS晶體管P1的源極接第三PMOS晶體管P3的漏極；第三PMOS晶體管P3的源級(jí)接電源，柵極接輸出端U_out；第二NMOS晶體管N2的柵極接電平轉(zhuǎn)換電路的輸入U(xiǎn)_in，源極接地，漏極接輸出U_out；第二PMOS晶體管P2的柵極接電平轉(zhuǎn)換電路的輸入端U_in，漏極接輸出U_out，源極接第四PMOS晶體管P4的漏極；第四PMOS晶體管P4的源級(jí)接電源。

本發(fā)明的電平轉(zhuǎn)換電路中，通過(guò)增加兩個(gè)PMOS晶體管，解決了傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路存在NMOS晶體管和PMOS晶體管同時(shí)導(dǎo)通導(dǎo)致電平轉(zhuǎn)換不正確的問(wèn)題，大大提高了電平轉(zhuǎn)換電路的穩(wěn)定性。

附圖說(shuō)明

圖1是傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的電平轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明了，下面結(jié)合具體實(shí)施方式并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本發(fā)明的范圍。此外，在以下說(shuō)明中，省略了對(duì)公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述，以避免不必要地混淆本發(fā)明的概念。

如圖2所示，為本發(fā)明提供的一種電平轉(zhuǎn)換電路，包括：反相器INV1、第一PMOS晶體管P1、第二PMOS晶體管P2、第三PMOS晶體管P3、第四PMOS晶體管P4、第一NMOS晶體管N1和第二NMOS晶體管N2；反相器INV1的輸入端接電平轉(zhuǎn)換電路的輸入端U_in，輸出接第一PMOS晶體管P1的柵極和第一NMOS晶體管N1的柵極；第一NMOS晶體管N1的源極接地，漏極接第一PMOS晶體管P1的漏極和第四PMOS晶體管P4的柵極；第一PMOS晶體管P1的源極接第三PMOS晶體管P3的漏極；第三PMOS晶體管P3的源級(jí)接電源，柵極接輸出端U_out；第二NMOS晶體管N2的柵極接電平轉(zhuǎn)換電路的輸入U(xiǎn)_in，源極接地，漏極接輸出U_out；第二PMOS晶體管P2的柵極接電平轉(zhuǎn)換電路的輸入端U_in，漏極接輸出U_out，源極接第四PMOS晶體管P4的漏極；第四PMOS晶體管P4的源級(jí)接電源。

與傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路相比，本發(fā)明的電平轉(zhuǎn)換電路中，通過(guò)增加兩個(gè)PMOS晶體管，解決了傳統(tǒng)的電平轉(zhuǎn)換電路存在NMOS晶體管和PMOS晶體管同時(shí)導(dǎo)通導(dǎo)致電平轉(zhuǎn)換不正確的問(wèn)題，大大提高了電平轉(zhuǎn)換電路的穩(wěn)定性。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的上述具體實(shí)施方式僅僅用于示例性說(shuō)明或解釋本發(fā)明的原理，而不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。因此，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。此外，本發(fā)明所附權(quán)利要求旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內(nèi)的全部變化和修改例。