[發明專利]一種氮化鎵基發光二極管外延片及其生長方法有效
| 申請號： | 201710393738.2 | 申請日： | 2017-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN107195736B | 公開（公告）日： | 2019-12-31 |
| 發明（設計）人： | 劉華容;萬林;胡加輝 | 申請（專利權）人： | 華燦光電(浙江)有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金華市義*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化 發光二極管 外延 及其 生長 方法 | ||
1.一種氮化鎵基發光二極管外延片，所述發光二極管外延片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的低溫緩沖層、高溫緩沖層、無摻雜GaN層、N型層、MQW發光層和P型層，其特征在于，
所述高溫緩沖層為未摻雜的InGaN層和摻鎂的InGaN層交替生長的層疊結構，所述未摻雜的InGaN層的數量為n，所述摻鎂的InGaN層的數量為n-1，n>2且n為整數；
所述高溫緩沖層中未摻雜的InGaN層和摻鎂的InGaN層均為InxGa1-xN層，0<x<0.1；
所述高溫緩沖層采用delta摻雜方式摻雜鎂，所述delta摻雜方式包括：
第一步，通入鎵源和銦源，生長50～100nm的高溫緩沖層；
第二步，停止通入鎵源和銦源，通入5-80s的鎂源，然后停止通入鎂源；
交替執行第一步和第二步，直至所述高溫緩沖層的厚度達到設定值。
2.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述高溫緩沖層的厚度為100-500nm。
3.一種氮化鎵基發光二極管外延片的生長方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上依次生長低溫緩沖層、高溫緩沖層、無摻雜GaN層、N型層、MQW發光層和P型層，
其中，所述高溫緩沖層為未摻雜的InGaN層和摻鎂的InGaN層交替生長的層疊結構，所述未摻雜的InGaN層的數量為n，所述摻鎂的InGaN層的數量為n-1，n>2且n為整數；
所述高溫緩沖層中未摻雜的InGaN層和摻鎂的InGaN層均為InxGa1-xN層，0<x<0.1；
所述高溫緩沖層采用delta摻雜方式摻雜鎂，所述delta摻雜方式包括：
第一步，通入鎵源和銦源，生長50～100nm的高溫緩沖層；
第二步，停止通入鎵源和銦源，通入5-80s的鎂源，然后停止通入鎂源；
交替執行第一步和第二步，直至所述高溫緩沖層的厚度達到設定值。
4.根據權利要求3所述的生長方法，其特征在于，所述高溫緩沖層采用delta摻雜方式摻雜鎂時，每次通入鎂源的時間為20s。
5.根據權利要求3所述的生長方法，其特征在于，所述高溫緩沖層采用delta摻雜方式摻雜鎂時，每次通入鎂源的流量為10-1000sccm。
6.根據權利要求3所述的生長方法，其特征在于，所述高溫緩沖層采用delta摻雜方式摻雜鎂時，通入鎂源的次數為2-10次。
7.根據權利要求6所述的生長方法，其特征在于，所述高溫緩沖層的生長溫度為900-1100℃。
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