[發(fā)明專利]面陣電荷耦合器件封裝用陶瓷外殼及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710393271.1
• 申請(qǐng)日: 2017-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN107221504B
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張倩;彭博
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L27/146;H01L27/148
• 代理公司: 石家莊國為知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120
• 代理人: 趙寶琴

本發(fā)明公開了一種面陣電荷耦合器件封裝用陶瓷外殼及其制作方法，涉及陶瓷封裝外殼技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括陶瓷件和針引線，所述陶瓷件正面的芯片安裝區(qū)、封口面均采用磨拋方式進(jìn)行加工，磨拋后陶瓷件的封口面、芯片安裝區(qū)的平面度均≤1μm/mm或50μm。采用該方法制作的陶瓷外殼，平面度高、氣密性高，能夠解決平面度低的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及陶瓷封裝外殼技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種面陣電荷耦合器件封裝用陶瓷外殼及其制作方法。

背景技術(shù)

常規(guī)的CPGA(Ceramic Pin Grid Array,陶瓷針型柵格陣列，一種芯片封裝形式)陶瓷外殼由陶瓷件、針引線以及金屬封口環(huán)(可選)組成，其中陶瓷件采用多層氧化鋁陶瓷鎢金屬化高溫共燒工藝制作，一次成型，不用后期加工，之后陶瓷件與針引線采用銀銅焊料進(jìn)行組裝焊接。

面陣電荷耦合器件(Charge Couple Device，簡(jiǎn)稱CCD)封裝用陶瓷外殼封裝形式為CPGA類結(jié)構(gòu)，由陶瓷件、針引線兩部分組成，陶瓷件材料為90％的氧化鋁，針引線材料為鐵鎳合金或鐵鎳鈷合金。由于面陣CCD封裝外殼主要用于封裝凝視型空間面陣CCD器件，引出方式為CPGA類結(jié)構(gòu)，陶瓷外殼外形尺寸大、平面度要求高、高氣密性，陶瓷件通過高溫共燒工藝一次成型無法滿足要求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種面陣電荷耦合器件封裝用陶瓷外殼及其制作方法，采用該方法制作的陶瓷外殼，平面度高、氣密性高，能夠解決平面度低的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是：一種面陣電荷耦合器件封裝用陶瓷外殼，包括陶瓷件和針引線，所述陶瓷件正面的芯片安裝區(qū)、封口面均采用磨拋方式進(jìn)行加工，磨拋后陶瓷件的封口面、芯片安裝區(qū)的平面度均≤1μm/mm或50μm。

進(jìn)一步地，陶瓷件的封口面采用拋光機(jī)或磨具進(jìn)行磨拋；

當(dāng)芯片安裝區(qū)與封口面共面時(shí)，芯片安裝區(qū)的磨拋方式同封口面的磨拋方式；

當(dāng)芯片安裝區(qū)與封口面不共面時(shí)，芯片安裝區(qū)的磨拋方式為磨具磨拋加工。

進(jìn)一步地，所述陶瓷件的正面設(shè)有鍵合區(qū)內(nèi)嵌的凹槽，鍵合區(qū)內(nèi)嵌在凹槽內(nèi)。

進(jìn)一步地，所述陶瓷件背面的針引線的引出端設(shè)有凹槽，凹槽內(nèi)嵌有焊盤，焊盤的表面低于陶瓷件的背面，所述陶瓷件背面采用拋光機(jī)磨拋或磨具磨拋。

進(jìn)一步地，所述針引線的引線節(jié)距包括1.27mm、2.54mm、2.54mm交錯(cuò)，引線數(shù)≤1000；所述陶瓷件的外形尺寸為，長寬≤200.00mm×200.00mm，高度≤20.00mm。

進(jìn)一步地，所述陶瓷件的芯片安裝區(qū)設(shè)有若干陣列排布的通孔。

進(jìn)一步地，所述陶瓷件的正面或背面設(shè)有定位標(biāo)記槽。

更進(jìn)一步地，所述陶瓷件的封口面上設(shè)有安裝孔。

本發(fā)明還提供一種面陣電荷耦合器件封裝用陶瓷外殼的制作方法，包括以下工藝：流延、落料、沖孔、填孔、印刷、層壓、熱切、燒結(jié)、磨拋、鍍鎳、釬焊、鍍金。

進(jìn)一步地，磨拋工藝是采用拋光機(jī)或磨具對(duì)陶瓷件正面的封口面、芯片安裝區(qū)和背面進(jìn)行磨拋。

采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于：本發(fā)明在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上，增加了對(duì)陶瓷件的磨拋工藝，即對(duì)陶瓷件的表面進(jìn)行磨拋機(jī)械加工，能夠提高陶瓷件表面的平面度，進(jìn)而提高封裝的氣密性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例1的示意圖；

圖2是圖1的仰視圖；

圖3是圖1的俯視圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例2的示意圖；