[發明專利]陣列基板、顯示面板、顯示裝置及陣列基板的制備方法有效
| 申請號: | 201710392205.2 | 申請日: | 2017-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN107170786B | 公開(公告)日: | 2019-12-27 |
| 發明(設計)人: | 高棟雨;鄒建華;李洪濛;徐苗;王磊;陶洪;彭俊彪 | 申請(專利權)人: | 廣州新視界光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 11332 北京品源專利代理有限公司 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 510700 廣東省廣州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示 面板 顯示裝置 制備 方法 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:
襯底基板;
多個像素單元,位于所述襯底基板上,包括依次層疊的反射電極層、發白光的白光有機發光層和半透明電極層,所述半透明電極層遠離所述襯底基板的一面為出光面;
每個所述像素單元至少包括紅色子像素單元、綠色子像素單元和藍色子像素單元,所述反射電極層包括位于所述紅色子像素單元的第一反射電極,位于所述綠色子像素單元的第二反射電極,以及位于所述藍色子像素單元的第三反射電極;
所述第一反射電極對紅光波長具有第一反射相移,所述第二反射電極對綠光波長具有第二反射相移,所述第三反射電極對藍光波長具有第三反射相移,且所述第一反射相移、所述第二反射相移和所述第三反射相移分別與對應出射光的波長滿足法布里-珀羅Fabry-Perot諧振方程,以通過設置所述第一反射相移、所述第二反射相移和所述第三反射相移,使得所述紅色子像素單元出射紅光,所述綠色子像素單元出射綠光,所述藍色子像素單元出射藍光。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,反射相移與對應出射光的波長滿足以下關系:
其中,θ表示反射電極對出射光的反射相移,no表示白光有機發光層的折射率,L表示白光有機發光層的厚度,λ表示出射光的波長。
3.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一反射電極、所述第二反射電極和所述第三反射電極的材料不同。
4.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述第一反射電極的材料在紅光波長下的反射率大于所述第二反射電極的材料在紅光波長下的反射率,所述第二反射電極的材料在綠光波長下的反射率大于所述第三反射電極的材料在綠光波長下的反射率。
5.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述第一反射電極的材料包括Ag或Al;
所述第二反射電極的材料包括Mo或Ti;
所述第三反射電極的材料包括TiN。
6.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一反射電極、所述第二反射電極和所述第三反射電極的材料相同,厚度不同。
7.根據權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述第一反射電極、所述第二反射電極和所述第三反射電極的材料為Al/TiN的雙層材料堆疊結構;
所述第一反射電極、所述第二反射電極和所述第三反射電極中Al的厚度為180nm;
所述第一反射電極表面的TiN的厚度為10nm;
所述第二反射電極表面的TiN的的厚度為30nm;
所述第三反射電極表面的TiN的的厚度為60nm。
8.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一反射電極、所述第二反射電極和所述第三反射電極中,至少一種反射電極包括金屬層和有機層的第一疊層結構,或不同金屬材料的組合金屬層。
9.根據權利要求8所述的陣列基板,其特征在于,所述第一疊層結構包括Al/Alq3/Al、Ag/MoO3/Ag、Ag/ITO/Ag、Ag/IZO/Ag、Mo/IZO/Mo或Mo/ITO/Mo。
10.根據權利要求9所述的陣列基板,其特征在于,所述第一疊層結構中最上層金屬層的厚度為1-50nm。
11.根據權利要求10所述的陣列基板,其特征在于,所述第一疊層結構中最上層金屬層的透射率大于10%。
12.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述白光有機發光層包括紅色有機發光層、綠色有機發光層和藍色有機發光層的第二疊層結構,或藍色有機發光層和黃色有機發光層的第三疊層結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





