[發明專利]應用于無線傳感器網絡的寬帶低功耗低噪聲放大器

有效

• 申請號: 201710392133.1
• 申請日: 2017-05-27
• 公開（公告）號: CN107070425B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 吳晨健;安景慧
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45;H03F3/16;H03F1/56;H03F1/42;H03F1/02
• 代理公司: 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257
• 代理人: 楊慧林

1.一種應用于無線傳感器網絡的寬帶低功耗低噪聲放大器，其特征在于：它包括依次相連接的輸入匹配電路、第一級放大電路和第二級放大電路；

所述的第一級放大電路采用電阻反饋共源電路結構，?它包括PMOS管MP、NMOS管MN和反饋電阻Rf，所述PMOS管MP的源極連接偏置電壓vb，所述PMOS管MP的漏極和所述NMOS管MN的漏極分別與所述反饋電阻Rf的一端相連接，所述PMOS管MP的柵極和所述NMOS管MN的柵極分別與反饋電阻Rf的另一端以及所述輸入匹配電路相連接，所述NMOS管MN的源極接地；

所述的第二級放大電路采用有源并聯反饋共柵電路結構，它包括NMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M5、NMOS管M6、電阻RL1、電阻RL2以及電容C1，所述電阻RL1的一端連接電源VDD且另一?端分別與所述NMOS管M1的漏極和所述PMOS管M5的柵極相連接，所述NMOS管M1的柵極連接偏?置電壓vgn，所述PMOS管M2的柵極連接偏置電壓vgp，所述NMOS管M1的源極、所述PMOS管M2的?源極與所述PMOS管M5的漏極、所述NMOS管M6的漏極相連接，并且所述NMOS管M1的源極、所述?PMOS管M2的源極與所述PMOS管MP的漏極、所述NMOS管MN的漏極直接連接或通過一部件相連?接，所述PMOS管M2的漏極、所述電阻RL2的一端與所述NMOS管M6的柵極相連接，所述RL2的另?一端接地，所述PMOS管M5的源極連接所述電源VDD，所述NMOS管M6的源極接地，所述電容C1?的兩端分別連接所述NMOS管M1的漏極、所述PMOS管M2的漏極；所述NMOS管M1的漏極為所述?應用于無線傳感器網絡的寬帶低功耗低噪聲放大器的輸出端；

所述的輸入匹配電路包括電容Cin和電感Lin，所述電容Cin的一端接地且另一端與所述?電感Lin的一端相連接，所述Lin的另一端與所述PMOS管MP的柵極、所述NMOS管MN的柵極以及?反饋電阻Rf的另一端相連；

所述的第一級放大電路還包括電容C，所述電容C的一端與所述PMOS管MP的漏極、所述NMOS管MN的漏極相連接，另一端與所述NMOS管M1的源極、所述PMOS管M2的源極相連接。

2.根據權利要求1所述的應用于無線傳感器網絡的寬帶低功耗低噪聲放大器，其特征在于：所述的電感Lin的一端為所述應用于無線傳感器網絡的寬帶低功耗低噪聲放大器的輸?入端。