[發明專利]一種MicroLED顯示器件的制備方法

在審

• 申請號: 201710389639.7
• 申請日: 2017-05-27
• 公開（公告）號: CN107170876A
• 公開（公告）日: 2017-09-15
• 發明（設計）人: 孫小衛;王愷;劉召軍;王立鐸;郝俊杰;劉皓宸
• 申請（專利權）人: 南方科技大學
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L27/15
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司44205
• 代理人: 唐致明

技術領域

本發明涉及一種Micro LED顯示器件的制備方法。

背景技術

Micro LED為微型化LED陣列結構，具有自發光顯示特性，其技術優勢包括全固態、長壽命、高亮度、低功耗、體積較小、超高分辨率、可應用于高溫或輻射等極端環境。相較于同為自發光顯示的OLED技術，Micro LED不僅效率較高、壽命較長，材料不易受到環境影響而相對穩定，也能避免產生殘影現象等。

目前Micro LED顯示方式通常是單色顯示，Micro LED顯示的彩色化是其進一步拓展應用的關鍵技術，RGB三色LED法是其實現彩色化的重要技術方向之一。RGB三色LED法全彩顯示主要是基于三原色(紅、綠、藍)調色基本原理，具體實施方法：分別對紅色-LED、綠色-LED、藍色-LED，施以不同的電流即可控制其亮度值，從而實現三原色的組合，達到全彩色顯示的效果，這是目前LED大屏幕所普遍采用的方法。這種LED大屏幕全彩色顯示組合方式直接應用于微矩陣LED顯示屏還存在許多問題，例如：Micro LED的RGB三色法需要紅綠藍三個芯片，增加了工藝工序和技術上的難度，使得成品率降低，生產成本增加。使用藍光MicroLED搭配紅色和綠色發光介質的技術。其中涂覆熒光粉的方法存在許多問題，如：熒光粉涂層將會吸收部分能量，降低了轉化率。

量子點顯示是目前備受關注的新型顯示技術。量子點(Quantum Dot，QD)作為一種新興的半導體納米晶材料，具有量子效率高、光譜精確可調、半峰寬窄、色域廣等優點，應用于顯示可顯著提高顯示色域范圍，并同時降低顯示功耗等。量子點在顯示技術領域的應用主要包括兩個方面：基于量子點電致發光特性的量子點發光二極管顯示技術(Quantum Dots Light Emitting Diode Displays，QLED)；基于量子點光致發光特性的量子點背光源技術(Quantum Dots-Backlight Unit，QD-BLU)。而量子點電致發光QLED存在的主要問題是缺乏穩定高效的藍光材料。

利用Micro LED和QLED各自的優勢，基于量子點光致發光的特性，采用藍光Micro LED與綠光量子點、紅光量子點結合是實現Micro LED顯示彩色化的重要技術方向。目前一般采用旋轉涂布或霧狀噴涂技術將量子點直接涂覆在UV/藍光LED上，使其受激發出RGB三色光，再通過色彩配比實現全彩色化。直接涂覆量子點技術存在的主要問題：(1)由于Micro LED經過加工后表面并非平整均一，直接在Micro LED涂覆量子點，難以實現涂覆膜的精度或均勻性，使得成品率和顯示質量降低；(2)由于噴涂設備中噴頭尺寸較大，涂覆的像素點尺寸偏大，難以實現量子點高密度涂覆或高分辨率顯示；(3)涂覆的量子點均勻性差，噴涂時會出現較多的缺陷，同時各色量子點顏色相互影響，使得彩色化質量顯著下降。

發明內容

本發明所采取的技術方案是：

一種Micro LED顯示器件的制備方法，包括在基板上制備多個Micro LED芯片的步驟，還包括以下步驟：

(1)制備轉印模板，所述轉印模板具有與所述Micro LED芯片中的部分或全部Micro LED芯片一一對應的凸起或凹陷圖案；

(2)在所述凸起或所述凹陷圖案上涂覆量子點材料；

(3)將所述凸起或凹陷圖案與所述Micro LED芯片對準接觸，將所述量子點材料轉移至所述Micro LED芯片的上表面。

優選地，步驟(3)中所述的轉移過程為通過壓印將所述量子點材料轉移至所述Micro LED芯片的上表面。壓印過程中，可以是Micro LED芯片在下，轉印模板在上，也可以是轉印模板在下，Micro LED芯片在上。

優選地，所述轉印模板為軟模板。常用的軟模板材料為可塑形的高分子材料，如聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯等。