[發明專利]陣列基板、異形顯示器及顯示裝置有效
| 申請號: | 201710388859.8 | 申請日: | 2017-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN107221536B | 公開(公告)日: | 2019-12-13 |
| 發明(設計)人: | 席克瑞;周一安;許文欽 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 11291 北京同達信恒知識產權代理有限公司 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 201201 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 異形 顯示器 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括襯底基板,所述襯底基板包括顯示區和圍繞所述顯示區的非顯示區,所述顯示區設置有多條長度不相同的柵線,所述非顯示區設置有與部分所述柵線一一對應的電容補償結構;
所述電容補償結構包括位于所述襯底基板上的第一電極、第二電極和第三電極,所述第一電極與所述第二電極構成第一電容,所述第二電極與所述第三電極構成第二電容,所述電容補償結構的耦合電容值與其所對應的所述柵線的長度負相關;其中,所述電容補償結構的耦合電容值越大,其對應的所述柵線的長度越短;
所述第一電極與所述第三電極的電位相同,且所述第一電極不與所述第三電極電連接,所述第二電極與所述電容補償結構所對應的所述柵線電連接;或者,
所述第一電極與所述第三電極電連接,所述第一電極或所述第二電極或所述第三電極與所述電容補償結構所對應的所述柵線電連接。
2.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,在垂直所述襯底基板所在平面的方向上,所述第一電極與所述第二電極至少存在部分區域交疊,所述第二電極與所述第三電極至少存在部分區域交疊。
3.如權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述第一電極位于所述第二電極與所述襯底基板之間,所述第二電極位于所述第一電極與所述第三電極之間。
4.如權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,在垂直所述襯底基板所在平面的方向上,所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極至少存在部分區域共同交疊。
5.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一電極與所述第三電極的電位相同,且所述第一電極不與所述第三電極電連接,所述第二電極與所述柵線電連接,所述第二電極復用為柵線連接線,所述柵線連接線用于為所述柵線傳輸掃描信號。
6.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一電極與所述第三電極電連接,所述第一電極或所述第二電極或所述第三電極與所述柵線電連接,且與所述柵線電連接的所述第一電極或所述第二電極或所述第三電極被復用為柵線連接線,所述柵線連接線用于為所述柵線傳輸掃描信號。
7.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述電容補償結構位于所述柵線延伸方向上的第一端;或者,
部分所述電容補償結構位于所述柵線延伸方向上的所述第一端,部分所述電容補償結構位于所述柵線延伸方向上的第二端。
8.如權利要求7所述的陣列基板,其特征在于,所述電容補償結構位于柵極驅動電路與所述顯示區之間,所述柵極驅動電路位于所述非顯示區。
9.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一電極與所述第三電極通過過孔電連接。
10.如權利要求1-9任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述顯示區還設置有透明導電電極,所述第三電極與所述透明導電電極同層設置。
11.如權利要求10所述的陣列基板,其特征在于,所述顯示區還設置有與所述柵線交叉的數據線;
所述柵線與所述第一電極或所述第二電極同層設置;或者,
所述數據線與所述第一電極或所述第二電極同層設置。
12.如權利要求11所述的陣列基板,其特征在于,所述柵線與所述第一電極同層設置,所述數據線與所述第二電極同層設置。
13.如權利要求11所述的陣列基板,其特征在于,所述數據線與所述第一電極同層設置,所述柵線與所述第二電極同層設置。
14.如權利要求10所述的陣列基板,其特征在于,所述透明導電電極為公共電極。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海天馬微電子有限公司,未經上海天馬微電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710388859.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種電絮凝單元、電絮凝裝置及重金屬廢水處理系統
- 下一篇:一種扁平球囊裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





