[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管的外延片及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710388665.8 | 申請(qǐng)日： | 2017-05-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107195735B | 公開（公告）日： | 2019-08-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 萬林;胡加輝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金華市義*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 發(fā)光二極管 外延 及其 制備 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管的外延片，所述外延片包括襯底以及依次層疊在所述襯底上的緩沖層、非摻雜氮化鎵層、應(yīng)力釋放層、P型氮化鎵層、電子阻擋層、多量子阱層、電流阻擋層和N型氮化鎵層，其特征在于，所述應(yīng)力釋放層包括依次層疊在所述非摻雜氮化鎵層上的多個(gè)子層，各個(gè)所述子層包括P型摻雜的鋁鎵氮層和P型摻雜的銦鎵氮層；各個(gè)所述子層還包括P型摻雜的鋁銦鎵氮層，所述P型摻雜的鋁銦鎵氮層層疊在所述P型摻雜的鋁鎵氮層和所述P型摻雜的銦鎵氮層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述P型摻雜的鋁銦鎵氮層的厚度為1～10nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述P型摻雜的鋁鎵氮層的厚度為1～10nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述P型摻雜的銦鎵氮層的厚度為1～10nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述子層的數(shù)量為2～20個(gè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述應(yīng)力釋放層中P型摻雜劑的摻雜濃度小于所述P型氮化鎵層中P型摻雜劑的摻雜濃度。
7.一種發(fā)光二極管的外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上依次生長(zhǎng)緩沖層、非摻雜氮化鎵層、應(yīng)力釋放層、P型氮化鎵層、電子阻擋層、多量子阱層、電流擴(kuò)展層和N型氮化鎵層；
其中，所述應(yīng)力釋放層包括依次層疊在所述非摻雜氮化鎵層上的多個(gè)子層，各個(gè)所述子層包括P型摻雜的鋁鎵氮層和P型摻雜的銦鎵氮層；各個(gè)所述子層還包括P型摻雜的鋁銦鎵氮層，所述P型摻雜的鋁銦鎵氮層層疊在所述P型摻雜的鋁鎵氮層和所述P型摻雜的銦鎵氮層之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述應(yīng)力釋放層的生長(zhǎng)溫度為1200℃～1250℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制備方法，其特征在于，所述應(yīng)力釋放層的生長(zhǎng)壓力為200mbar～800mbar。
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