[發(fā)明專利]金剛線切割多晶硅片的制絨預處理方法及應用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710388329.3 | 申請日: | 2017-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN107146829B | 公開(公告)日: | 2019-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 彭也慶;胡動力;章金兵;郝剛;劉華 | 申請(專利權(quán))人: | 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 338000 江西省新余*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金剛 切割 多晶 硅片 預處理 方法 應用 | ||
1.一種金剛線切割多晶硅片的制絨預處理方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)將碳化硅粉末分散在水中,得到制絨預處理液,其中,碳化硅在所述制絨預處理液中的質(zhì)量分數(shù)為2-10%,所述碳化硅的圓度為0.85-0.95;
(2)將金剛線切割多晶硅片放置于裝有所述制絨預處理液的容器中,在超聲波條件下,進行超聲處理2-5min,得到制絨預處理多晶硅片,其具有厚度為8-12μm的均勻粗糙的表面損傷層;其中,所述超聲處理時的超聲頻率為20-100kHz,超聲功率為1500-3000W。
2.如權(quán)利要求1所述的制絨預處理方法,其特征在于,所述制絨預處理液在容器中的液位為2-5cm。
3.如權(quán)利要求1所述的制絨預處理方法,其特征在于,所述超聲處理時的溫度控制在25-60℃。
4.如權(quán)利要求1所述的制絨預處理方法,其特征在于,所述碳化硅粉末的目數(shù)在400目以上。
5.如權(quán)利要求1所述的制絨預處理方法,其特征在于,在進行所述超聲處理時,同時采用兩種以上不同頻率的超聲波來進行,其中,所述超聲波的頻率選自20-100kHz中的任意兩種以上。
6.如權(quán)利要求5所述的制絨預處理方法,其特征在于,所述超聲波的頻率分別選自20-40kHz、30-60kHz、50-100kHz頻段的三種不同頻率。
7.如權(quán)利要求1-6任一項所述的制絨預處理方法,其特征在于,所述制絨預處理液中還含有表面活性劑,所述表面活性劑的HLB值為10-20;所述預處理液的表面張力35-72達因/厘米。
8.一種制絨預處理硅片,其特征在于,所述制絨預處理硅片是按權(quán)利要求1-7任一項所述的制絨預處理方法制得。
9.一種金剛線切割多晶硅片的制絨方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)將碳化硅粉末分散在水中,得到制絨預處理液,其中,碳化硅在所述制絨預處理液中的質(zhì)量分數(shù)為2-10%,所述碳化硅的圓度為0.85-0.95;
(2)將金剛線切割多晶硅片放置于裝有所述制絨預處理液的容器中,在超聲波條件下,進行超聲處理2-5min,得到制絨預處理多晶硅片,其具有厚度為8-12μm的均勻粗糙的表面損傷層;其中,所述超聲處理時的超聲頻率為20-100kHz,超聲功率為1500-3000W;
(3)將所述制絨預處理多晶硅片進行常規(guī)制絨,經(jīng)水洗、干燥后得到金剛線切割多晶硅片制絨產(chǎn)品。
10.一種采用權(quán)利要求9所述的制絨方法制得的金剛線切割多晶硅片制絨產(chǎn)品。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





