[發明專利]一種顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201710388186.6 | 申請日: | 2017-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN107230698B | 公開(公告)日: | 2019-09-03 |
| 發明(設計)人: | 曾洋;張卿;王麗花;謝亮;杜凌霄;丁洪;柴慧平;楊康;姚綺君 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201201 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 角度限定 指紋識別 指紋識別單元 顯示面板 模組 反射 有機發光顯示面板 顯示裝置 觸摸 入射角 透過率 有機發光結構 陣列基板 串擾 制作 | ||
1.一種顯示面板,所述顯示面板包括顯示模組和指紋識別模組,所述顯示模組包括陣列基板,以及位于所述陣列基板上的多個有機發光結構,所述指紋識別模組包括第一基板,以及位于所述第一基板上的至少一個指紋識別單元,用于根據經由觸摸主體反射到所述指紋識別單元的光線進行指紋識別,其特征在在于,所述顯示面板還包括:
角度限定膜;
所述指紋識別模組位于所述陣列基板遠離所述有機發光結構一側的顯示區內;
所述角度限定膜位于所述顯示模組與所述指紋識別模組之間,所述角度限定膜對經由觸摸主體反射到所述指紋識別單元的光線中,相對于所述角度限定膜的入射角小于所述角度限定膜的透過角的光線的透過率為A1;所述角度限定膜對經由觸摸主體反射到所述指紋識別單元的光線中,相對于所述角度限定膜的入射角大于所述角度限定膜的透過角的光線的透過率為A2;A1>A2>0;
其中,所述角度限定膜對垂直于所述角度限定膜入射的光線的透過率為A;所述角度限定膜的所述透過角是指透過率為kA的光線相對于所述角度限定膜的入射角;0<k<1。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,k=0.1。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,A1>1.5A2。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述有機發光結構為所述指紋識別模組提供光源,所述指紋識別單元用于根據所述有機發光結構發出的光線經由所述觸摸主體反射到所述指紋識別單元以進行指紋識別。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括出光側和非出光側;所述出光側為所述有機發光結構遠離所述陣列基板一側,所述非出光側為所述陣列基板遠離所述有機發光結構一側;所述顯示面板在所述出光側和所述非出光側的亮度比值大于10:1。
6.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述指紋識別模組還包括指紋識別光源,所述指紋識別光源位于所述第一基板遠離所述指紋識別單元的一側;所述指紋識別單元用于根據所述指紋識別光源發出的光線經由所述觸摸主體反射到所述指紋識別單元以進行指紋識別。
7.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述角度限定膜包括多個平行于所述第一基板所在平面,沿同一方向間隔排列的透光區域和部分透光區域,所述部分透光區域設置有吸光材料,所述透光區域對光線的透過率大于所述部分透光區域對光線的透過率。
8.根據權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述角度限定膜的所述透過角滿足如下公式:
其中,θ為所述角度限定膜的所述透過角,t為所述透光區域沿所述透光區域的排列方向的寬度,h為所述角度限定膜的厚度。
9.根據權利要求8所述的顯示面板,其特征在于,所述角度限定膜的擴散距離滿足如下公式:
其中,ΔX為所述角度限定膜的擴散距離,H為所述顯示模組的厚度;所述角度限定膜的所述擴散距離是指同一個所述指紋識別單元對應的實際檢測光線與干擾檢測光線在觸摸主體上的反射點之間的距離;
相對于所述指紋識別單元的入射角最小的反射光線為實際檢測光線,相對于所述指紋識別單元的入射角,大于所述實際檢測光線相對于所述指紋識別單元入射角的反射光線為干擾檢測光線。
10.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述角度限定膜包括多孔結構,所述多孔結構的側壁用于吸收部分入射到所述側壁上的光線。
11.根據權利要求10所述的顯示面板,其特征在于,所述角度限定膜的透過角滿足如下公式:
其中,θ為所述角度限定膜的透過角,d為所述多孔結構的直徑,h為所述角度限定膜的厚度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





