[發明專利]一種太赫茲可變衰減器

有效

• 申請號: 201710388165.4
• 申請日: 2017-05-27
• 公開（公告）號: CN107203054B
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發明（設計）人: 姜斌;吳斌;楊延召;王恒飛;應承平
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十一研究所
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01
• 代理公司: 北京天奇智新知識產權代理有限公司 11340
• 代理人: 陳永寧

本發明提供一種太赫茲可變衰減器，由數片基于砷化鎵材料的薄片排列而成，薄片的數量可以根據需要增加或者減少。太赫茲光源發出的太赫茲光經過砷化鎵材料的薄片可以衰減并到太赫茲探測器中，太赫茲探測器可以計算的太赫茲功率。每片砷化鎵材料薄片作為衰減片都很薄并且厚度相同，這樣就可以保證每片薄片作為衰減片對太赫茲波的衰減量是相同的，并且多片砷化鎵材料的薄片作為衰減片不會產生法布里?玻羅效應，影響最后的太赫茲衰減量。帶有凹槽的底座可以使太赫茲波按相同的方向經過砷化鎵材料的薄片作為衰減片，從而保證最后的衰減量是每片衰減量的和。采用上述方案，方法設計的太赫茲可變衰減器，使用方便，對放置角度要求低，精度高。

技術領域

本發明涉及太赫茲可變衰減器技術領域，尤其涉及的是一種太赫茲可變衰減器。

背景技術

太赫茲波是指光波頻率在0.1～10THz的范圍內，真空中的相應波長為(3000～30)μm，它是位于紅外與微波之間的一個波段，通常也叫THz波。

近幾年來，隨著人們對太赫茲波的產生和探測技術研究的日漸深入，太赫茲波在物質特性分析、成像、探測、遙感和國防上面的作用日益凸顯出來，由此引起了一場世界范圍內的針對太赫茲波的研究熱潮。目前對太赫茲波的衰減一般是通過一片硅片的衰減來進行的，但是由于一片硅片的衰減量是固定的，因此不能很好的滿足用戶想要輸出額定太赫茲波功率的要求。

當用多片硅片對太赫茲波進行衰減時，由于相鄰兩片硅片會產生法布里-玻羅效應，導致衰減量與預期的衰減量不同。因為硅片表面都是很光滑的，所以當太赫茲波入射后，會有部分光透過，部分光反射回去，反射回去的光到另一個硅平面，又反射回來，從而形成法布里-玻羅效應，大大影響太赫茲光的定量衰減。如圖1所示。

現有的太赫茲衰減片存在以下不足：

(1)現有的太赫茲衰減片都是硅片，單片只有固定的衰減量，對太赫茲波的功率衰減只有一個定值，難以達到理想的太赫茲功率；

(2)現有的多硅片可調太赫茲衰減器，由于硅片之間存在法布里-玻羅效應，導致多片硅衰減片的衰減量是不可控的；

(3)由于硅衰減片有一定的厚度，當角度稍微有所不同的時候，硅衰減片對太赫茲波的衰減量也有所不同；

(4)平滑表面的硅片加工難度極高，而且需要加工數片，對加工工藝的要求就更高了。

因此，現有技術存在缺陷，需要改進。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術的不足，提供一種太赫茲可變衰減器。

本發明的技術方案如下：

一種太赫茲可變衰減器，包括數片基于砷化鎵材料的薄片排列而成，太赫茲光源發出的太赫茲光經過砷化鎵材料的薄片衰減并到太赫茲探測器中，太赫茲探測器用于計算的太赫茲功率；帶有凹槽的底座用于放置使太赫茲波按相同的方向經過所述薄片。

上述方案中，所述薄片的數量根據需要增加或者減少。

上述方案中，所述薄片1作為衰減片都很薄并且厚度相同。，從而保證最后的衰減量是每片衰減量的和。

上述方案中，所述薄片的厚度小于1mm，最佳為0.7mm。

上述方案中，所述底座放置薄片的槽需要相互平行。

上述方案中，所述薄片根據需要增加或者減少。

采用上述方案，方法設計的太赫茲可變衰減器，使用方便，對放置角度要求低，精度高。

附圖說明

圖1為現有技術中多硅片之間形成的法布里-玻羅效應示意圖。

圖2為本發明太赫茲可變衰減器的結構示意圖。