[發明專利]一種深紫外LED芯片的制造方法

在審

• 申請號: 201710388132.X
• 申請日: 2017-05-27
• 公開（公告）號: CN108963038A
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: 劉亞柱;吳永軍;唐軍;呂振興
• 申請（專利權）人: 合肥彩虹藍光科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/40
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 王華英

1.一種深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，包括步驟：

S1、對所述深紫外LED芯片的外延片進行光刻后蝕刻出第一指定圖形(a)，形成基片；

S2、在所述基片上進行光刻出第二指定圖形(b)的AlGaN層(1)，并將所述第二指定圖形(b)外的所述AlGaN層(1)全部刻蝕至Al₂O₃層(2)；

S3、在所述AlGaN層(1)上蒸鍍形狀為第三指定圖形(c)的P面導電層；

S4、在所述P面導電層上蒸鍍狀為第四指定圖形(d)的N面導電層；

S5、在所述基片上覆設生長絕緣層(5)，并去除多余的所述絕緣層(5)；

S6、在所述基片上光刻出金屬電極圖形，按照所述金屬電極圖形蒸鍍或濺射PN電極金屬(6)，形成所述深紫外LED芯片。

2.根據權利要求1所述的深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，所述AlGaN層(1)包括N-AlGaN層(12)和P-AlGaN層(11)；所述步驟S1包括步驟：

S11、將所述外延片清洗干凈并進行MESA光刻；

S12、使用ICP按照所述第一指定圖形(a)將所述外延片刻蝕至所述N-AlGaN層(12)；

S13、去除光刻膠，并清洗干凈。

3.根據權利要求2所述的深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，所述ICP刻蝕的深度為0.5μm-1.5μm。

4.根據權利要求1所述的深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟S3包括步驟：

S31、在所述AlGaN層(1)上進行P極金屬(3)負膠光刻；

S32、蒸鍍或濺射Ni/Au金屬電極；

S33、剝離多余金屬、去除光刻膠，并清洗干凈。

5.根據權利要求4所述的深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟S32中，蒸鍍或濺射所述Ni/Au金屬電極的厚度分別為20nm±10nm/300nm±100nm。

6.根據權利要求1所述的深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟S4包括步驟：

S41、在所述AlGaN層(1)上進行N極金屬(4)負膠光刻；

S42、蒸鍍或濺射Ti/Au/Ni/Au金屬電極；

S43、剝離多余金屬、去除光刻膠，并清洗干凈。

7.根據權利要求6所述的深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟S32中，蒸鍍或濺射所述Ti/Au/Ni/Au金屬電極的厚度分別為30nm±10nm/100nm±50nm/30nm±10nm/1000nm±400nm。

8.根據權利要求1所述的深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟S5包括步驟：

S51、在所述基片的表面沉積SiO₂作為所述絕緣層(5)；

S52、對所述絕緣層(5)進行光刻形成形狀為第五指定圖形(e)的所述絕緣層(5)；

S53、使用濕法腐蝕或干法刻蝕去除所述第五指定圖形(e)外的多余SiO₂；

S54、去除光刻膠，并清洗干凈。

9.根據權利要求8所述的深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟S6包括步驟：

S61、按照第六指定圖形(f)在所述基片上光刻出金屬電極圖形；

S62、按照所述金屬電極圖形蒸鍍或濺射Au金屬電極；

S63、剝離多余金屬、去除光刻膠，并清洗干凈。

10.根據權利要求9所述的深紫外LED芯片的制造方法，其特征在于，所述Au金屬電極的厚度為3000nm±1000nm。