[發明專利]線性穩壓器

有效

• 申請號: 201710388091.4
• 申請日: 2017-05-27
• 公開（公告）號: CN107179797B
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發明（設計）人: 邵博聞
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種線性穩壓器，其特征在于，包括：誤差放大器，電壓調整器件和反饋網絡；

所述誤差放大器包括放大器本體、尾電流源和有源負載；

所述放大器本體為差分結構且包括第一個差分電路和第二個差分電路，所述第一個差分電路的源端和所述第二個差分電路的源端都連接所述尾電流源，所述有源負載包括互為鏡像的第一差分有源負載和第二差分有源負載，所述第一差分有源負載連接所述第一個差分電路的負載端，所述第二差分有源負載連接所述第二個差分電路的負載端；所述第一個差分電路的輸入端連接參考電壓，所述第二差分電路的輸入端連接所述反饋網絡輸出的反饋電壓；所述第二個差分電路的負載端還作為輸出端輸出第一控制信號到所述電壓調整器件的控制端；

所述電壓調整器件的輸出端作為線性穩壓器的輸出端并輸出所述線性穩壓器的輸出電壓；

所述線性穩壓器還包括電壓比較支路和開關管，第一電容通過所述開關管和所述電壓調整器件的控制端連接；

所述電壓比較支路比較電源電壓和所述輸出電壓，所述電壓比較支路的輸出端輸出第二控制信號控制所述開關管；當所述電源電壓大于等于所述輸出電壓時所述開關管導通，所述第一電容和所述電壓調整器件的控制端之間導通；當所述電源電壓小于所述輸出電壓時所述開關管斷開，所述第一電容和所述電壓調整器件的控制端之間電連接斷開。

2.如權利要求1所述的線性穩壓器，其特征在于：所述第一個差分電路和所述第二個差分電路都為共源共柵放大電路。

3.如權利要求2所述的線性穩壓器，其特征在于：所述第一個差分電路包括第一NMOS管和第二NMOS管，所述第二個差分電路包括第三NMOS管和第四NMOS管；

所述第一NMOS管的源極和所述第三NMOS管的源極連接在一起作為所述放大器本體的兩個差分電路的源端；

所述第一NMOS管的漏極連接所述第二NMOS管的源極，所述第二NMOS管的漏極作為所述第一個差分電路的負載端；

所述第三NMOS管的漏極連接所述第四NMOS管的源極，所述第四NMOS管的漏極作為所述第二個差分電路的負載端以及作為所述放大器本體的輸出端；

所述第一NMOS管的柵極作為所述第一個差分電路的輸入端；

所述第三NMOS管的柵極作為所述第二個差分電路的輸入端；

所述第二NMOS管的柵極連接所述第四NMOS管的柵極都接第二偏置電壓。

4.如權利要求3所述的線性穩壓器，其特征在于：所述第一差分有源負載包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第二差分有源負載包括第三PMOS管和第四PMOS管；

所述第一PMOS管的源極和所述第三PMOS管的源極都接電源電壓；

所述第一PMOS管的漏極連接所述第二PMOS管的源極，所述第三PMOS管的漏極連接所述第四PMOS管的源極；

所述第一PMOS管的柵極、所述第三PMOS管的柵極和所述第二PMOS管的漏極都連接所述第二NMOS管的漏極且連接第四偏置電壓；

所述第四PMOS管的漏極連接所述第四NMOS管的漏極；

所述第二PMOS管的柵極和所述第四PMOS管的柵極都連接第三偏置電壓。

5.如權利要求3所述的線性穩壓器，其特征在于：所述尾電流源包括第五NMOS管，所述第五NMOS管的源極接地，所述第五NMOS管的漏極連接所述第一NMOS管的源極，所述第五NMOS管的柵極連接第一偏置電壓。

6.如權利要求3或4或5所述的線性穩壓器，其特征在于：所述電壓調整器件包括第六NMOS管，所述第六NMOS管的漏極連接電源電壓，所述第六NMOS管的柵極連接所述第四NMOS管的漏極，所述第六NMOS管的源極作為所述線性穩壓器的輸出端。

7.如權利要求6所述的線性穩壓器，其特征在于：所述反饋網絡由串聯在所述線性穩壓器的輸出端和地之間的電阻串組成。