[發(fā)明專利]一種低溫柔性鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710387718.4
• 申請(qǐng)日: 2017-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN107248549A
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖廣蘭;葉海波;劉智勇;劉星月;韓京輝;涂玉雪;史鐵林;湯自榮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/42
• 分類號(hào): H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 華中科技大學(xué)專利中心42201
• 代理人: 梁鵬,曹葆青

1.一種低溫柔性鈣鈦礦太陽能電池，該太陽能電池由下至上包括基底、光陽極層、吸光層、空穴傳輸層和對(duì)電極層，其特征在于，

所述基底為鍍有氟摻雜二氧化錫或氧化銦錫導(dǎo)電層的柔性PEN薄膜，所述光陽極由二氧化錫構(gòu)成，所述光吸收層由鈣鈦礦構(gòu)成，所述空穴傳輸層由酞菁銅構(gòu)成，所述對(duì)電極層由導(dǎo)電碳漿構(gòu)成。

2.如權(quán)利要求1所述的低溫柔性鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述光陽極層的厚度為50nm～80nm；所述光吸收層的厚度為400nm～600nm；所述空穴傳輸層的厚度為30nm～40nm；所述對(duì)電極層的厚度為10um～100um。

3.如權(quán)利要求1-5所述的低溫柔性鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于，該方法包括下列步驟：

(a)將二水合氯化亞錫或五水合四氯化錫旋涂在清洗后的基底上，然后對(duì)旋涂后的基底加熱，使得在所述基底上附著一層二氧化錫致密層，該二氧化錫致密層作為光陽極層，其中，所述加熱的溫度為180℃～190℃，加熱時(shí)間為1h～3h；

(b)在步驟(a)得到的二氧化錫致密層上進(jìn)行反溶劑法旋涂，然后對(duì)所述基底加熱，使得在該二氧化錫致密層的表面生成一層鈣鈦礦層，該鈣鈦礦層作為光吸收層；

(c)將酞菁銅蒸鍍到步驟(b)得到的鈣鈦礦層上形成酞菁銅層，該酞菁銅層作為空穴傳輸層，然后在所述酞菁銅層上印刷導(dǎo)電碳漿形成對(duì)電極層，至此完成對(duì)所述基底的處理，從而得到所需的太陽能電池。

4.如權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，在步驟(a)中，在所述加熱之后，優(yōu)選對(duì)加熱后的基底進(jìn)行紫外臭氧處理或者等離子處理。

5.如權(quán)利要求3或4所述的制備方法，其特征在于，在步驟(b)中，所述旋涂所用旋涂劑為ABX₃的化合物，其中，X為F、Cl、Br或I，B為Pb或Sn，A為CH₃、NH₃⁺或FA⁺，旋涂速度優(yōu)選為4000rpm～5000rpm，旋涂時(shí)間優(yōu)選為30s～40s。

6.如權(quán)利要求3-5任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，在步驟(b)中，所述反溶劑法旋涂是指在旋涂開始后的第6s～8s，在所述二氧化錫致密層上滴加極性有機(jī)溶劑，然后繼續(xù)旋涂。

7.如權(quán)利要求3-6任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，在步驟(b)中，所述加熱的溫度范圍為90℃～100℃，加熱時(shí)間為5min～10min。