[發明專利]移位寄存器和顯示裝置以及其驅動方法有效
| 申請號: | 201710387197.2 | 申請日: | 2010-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN107195328B | 公開(公告)日: | 2020-11-10 |
| 發明(設計)人: | 小山潤 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | G11C19/28 | 分類號: | G11C19/28;G09G3/3208;G09G3/36 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 程晨 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 移位寄存器 顯示裝置 及其 驅動 方法 | ||
1.一種移位寄存器的制造方法,其特征在于,所述移位寄存器具有第一信號線、第二信號線、第三信號線、第四信號線、第一觸發器、第二觸發器、第三觸發器以及第四觸發器,
所述第一信號線在第一時段內能夠用作供應時鐘信號的布線,該時鐘信號在低電源電位與高電源電位之間周期性地交替,所述第一信號線在所述第一時段以外的時段內能夠用作供應所述低電源電位的布線,
所述第二信號線在第二時段內能夠用作供應所述時鐘信號的布線,在所述第二時段以外的時段內能夠用作供應所述低電源電位的布線,
所述第三信號線在第三時段內能夠用作供應作為所述時鐘信號的反相信號的反相時鐘信號的布線,在所述第三時段以外的時段內能夠用作供應所述低電源電位的布線,
所述第四信號線在第四時段內能夠用作供應所述反相時鐘信號的布線,在所述第四時段以外的時段內能夠用作供應所述低電源電位的布線,
所述第一觸發器與所述第一信號線電連接,在所述第一時段內能夠輸出所述高電源電位,
所述第二觸發器與所述第二信號線電連接,在所述第二時段內能夠輸出所述高電源電位,
所述第三觸發器與所述第一觸發器以及所述第三信號線電連接,在所述第三時段內能夠輸出所述高電源電位,
所述第四觸發器與所述第二觸發器以及所述第四信號線電連接,在所述第四時段內能夠輸出所述高電源電位,
所述第三時段具有與所述第一時段重疊的時段,
所述第四時段具有與所述第二時段重疊的時段,
所述第一觸發器至第四觸發器各自具有第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管以及第四晶體管,
所述第一晶體管的柵極端子與所述第一晶體管的第一端子電連接,
所述第一晶體管的第二端子與所述第二晶體管的第一端子電連接,
所述第二晶體管的第一端子與所述第三晶體管的柵極端子電連接,
所述第二晶體管的柵極端子與所述第四晶體管的柵極端子電連接,
所述第二晶體管的第二端子與所述第四晶體管的第二端子電連接,
所述第三晶體管的第一端子與所述第一信號線、所述第二信號線、所述第三信號線或所述第四信號線中的任意信號線電連接,
所述第三晶體管的第二端子與所述第四晶體管的第一端子電連接,
對所述第二晶體管的第二端子以及所述第四晶體管的第二端子供應低電源電位,
所述第三晶體管的第二端子以及所述第四晶體管的第一端子與輸出端子電連接,
其中,所述第一晶體管至第四晶體管具有形成有溝道的氧化物半導體層,
所述氧化物半導體層是經由如下步驟形成的:在進行脫水或脫氫處理之后,從被設置為與所述氧化物半導體層接觸的氧化物絕緣層供應氧而使所述氧化物半導體層變成I型。
2.一種移位寄存器的制造方法,其特征在于,
所述移位寄存器具有觸發器,
所述觸發器具有第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管以及第四晶體管,
所述第一晶體管的柵極端子與所述第一晶體管的第一端子電連接,
所述第一晶體管的第二端子與所述第二晶體管的第一端子電連接,
所述第二晶體管的第一端子與所述第三晶體管的柵極端子電連接,
所述第二晶體管的柵極端子與所述第四晶體管的柵極端子電連接,
所述第二晶體管的第二端子與所述第四晶體管的第二端子電連接,
所述第三晶體管的第一端子與用作供應時鐘信號的布線的信號線電連接,
所述第三晶體管的第二端子與所述第四晶體管的第一端子電連接,
對所述第二晶體管的第二端子以及所述第四晶體管的第二端子供應低電源電位,
所述第三晶體管的第二端子以及所述第四晶體管的第一端子與輸出端子電連接,
其中,所述第一晶體管至第四晶體管具有形成有溝道的氧化物半導體層,
所述氧化物半導體層是經由如下步驟形成的:在進行脫水或脫氫處理之后,從被設置為與所述氧化物半導體層接觸的氧化物絕緣層供應氧而使所述氧化物半導體層變成I型。
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