[發明專利]一種OLED顯示基板及制備方法、顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 201710386907.X | 申請日: | 2017-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN107104130A | 公開(公告)日: | 2017-08-29 |
| 發明(設計)人: | 尤娟娟;孫力 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 顯示 制備 方法 面板 顯示裝置 | ||
1.一種OLED顯示基板,包括基板,劃分有多個發光區域;設置在所述基板上的像素限定層,所述像素限定層上設置有與每個發光區域相對應的開孔;其特征在于,所述像素限定層遠離所述基板的一面上還設置有凹陷結構和/或凸起結構。
2.根據權利要求1所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述OLED顯示基板還包括,
設置在所述基板上對應于每個發光區域的第一電極,所述開孔露出所述第一電極的至少部分區域;
發光功能層,包括層疊設置的多層結構層;其中,至少有一層所述結構層設置在所述開孔內、所述像素限定層遠離所述基板的一面上以及所述凹陷結構內和/或所述凸起結構上。
3.根據權利要求2所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述發光功能層中的各層結構層均設置在所述開孔內、所述像素限定層遠離所述基板的一面上以及所述凹陷結構內和/或所述凸起結構上。
4.根據權利要求3所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述發光功能層用于發出白光。
5.根據權利要求1所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述開孔呈陣列排布;
在至少一行所述開孔中,相鄰兩個所述開孔之間均設置有所述凹陷結構和/或所述凸起結構;
和/或,
在至少一列所述開孔中,相鄰兩個所述開孔之間均設置有所述凹陷結構和/或所述凸起結構。
6.根據權利要求1所述的OLED顯示基板,其特征在于,
所述凹陷結構沿垂直于所述OLED顯示基板方向的截面形狀包括,矩形、三角形、正梯形和倒梯形中的至少一種;
或者,
所述凸起結構沿垂直于所述OLED顯示基板方向的截面形狀包括,矩形、三角形、正梯形和倒梯形中的至少一種。
7.根據權利要求2所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述OLED顯示基板還包括,設置在所述發光功能層上的第二電極。
8.根據權利要求1所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述基板包括,襯底基板和設置在所述襯底基板上的晶體管陣列層。
9.一種OLED顯示基板的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括,
提供一基板,所述基板劃分有多個發光區域;在所述基板上形成絕緣材料薄膜;
對所述絕緣材料薄膜進行構圖工藝處理,形成像素限定層;其中,所述像素限定層上形成有與每個發光區域相對應的開孔,所述像素限定層遠離所述基板的一面上還形成有凹陷結構和/或凸起結構。
10.根據權利要求9所述的制備方法,其特征在于,所述對所述絕緣材料薄膜進行構圖工藝處理,形成像素限定層的步驟之前,所述制備方法還包括,
在所述基板上形成對應于每個發光區域的第一電極;待形成的開孔露出所述第一電極的至少部分區域;
在所述對所述絕緣材料薄膜進行構圖工藝處理,形成像素限定層的步驟之后,所述制備方法還包括,
形成發光功能層,包括層疊設置的多層結構層;其中,至少有一層所述結構層覆蓋在所述開孔內、所述像素限定層遠離所述基板的一面上以及所述凹陷結構內。
11.一種顯示面板,其特征在于,包括如權利要求1至8任一項所述的OLED顯示基板和相對于所述OLED顯示基板的對合基板。
12.根據權利要求11所述的顯示面板,其特征在于,所述對合基板為封裝蓋板、或貼附有觸控電極層的觸控蓋板、或彩膜基板。
13.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求11或12所述的顯示面板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司,未經京東方科技集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710386907.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





