[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法

有效

• 申請號: 201710386836.3
• 申請日: 2017-05-26
• 公開（公告）號: CN107579018B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 崔基勛;金袗圭;朱潤鐘;韓旻成;姜秉萬
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02;B08B3/02
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 曹桓

公開了一種液體處理裝置和一種液體處理方法。該液體處理裝置包括：提供用于加工基板的空間的室；設置在該室中以支撐基板的支撐單元；噴射單元，其具有噴嘴以用于向由支撐單元支撐的基板供應清潔介質；以及輔助噴射單元，其具有輔助噴嘴以用于向由支撐單元支撐的基板供應防污染液體。

技術領域

本發明理念涉及基板(substrate，襯底、基片、基底)處理裝置和基板處理方法。

背景技術

在基板的表面上的污染物諸如粒子、有機污染物和金屬污染物極大地影響半導體器件的特性和成品率。由于這一點，移除附著于基板的表面上的各種污染物的清潔加工非常重要，并且清潔基板的過程是在用于制造半導體的單元過程之前和之后執行的。

發明內容

本發明理念提供了一種高效地處理基板的基板處理裝置，并且可以提供一種基板處理方法。

本發明理念還提供了一種以干法清潔基板的基板處理裝置，并且可以提供一種基板處理方法。

本發明理念還提供了一種在正常壓力或接近正常壓力的壓力下以干法清潔基板的基板處理裝置，并且可以提供一種基板處理方法。

本發明理念還提供了一種通過使用二氧化碳來清潔基板的基板處理裝置，并且可以提供一種基板處理方法。

本發明理念還提供了一種清潔效率提高的基板清潔裝置，并且可以提供一種基板處理方法。

本發明理念要解決的問題不限于上述問題，并且本發明理念所涉及領域的技術人員根據說明書和附圖將清楚地理解未提及的問題。

根據本發明理念的一方面，提供了一種基板處理裝置，該基板處理裝置包括：提供用于加工基板的空間的室；設置在室中以支撐基板的支撐單元；噴射單元，該噴射單元具有噴嘴以用于向由支撐單元支撐的基板供應清潔介質；以及輔助噴射單元，該輔助噴射單元具有輔助噴嘴以用于向由支撐單元支撐的基板供應防污染液體。

輔助噴嘴可以將防污染液體供應至基板的由清潔介質在其中進行了清潔的區域。

當噴嘴從基板的外區域向基板的中心區域移動時，噴射單元可以向基板供應清潔介質。

在從基板的中心至輔助噴嘴的距離大于從基板的中心至噴嘴的距離的狀態下，輔助噴射單元可以向基板供應防污染液體。

清潔介質可以是處于氣溶膠狀態的二氧化碳。

室的內部壓力可以為0.75巴至1.25巴。

噴嘴可以包括：具有入口的收縮部分，清潔介質通過該入口引入，并且該收縮部分的截面積隨著該收縮部分遠離入口減小；具有噴射孔的擴張部分，清潔介質通過該噴射孔噴射，并且該擴張部分的截面積隨著該擴張部分靠近噴射孔增加；以及位于收縮部分和擴張部分之間的孔口。

防污染液體可以具有比將粒子充電至具有取決于ζ電勢的負電勢的pH值大的pH值。

防污染液體可以是堿性液體。

根據本發明理念的另一方面，提供了一種基板處理方法，該基板處理方法包括：開始向旋轉的基板供應非液體清潔介質；以及向基板的由清潔介質在其中對基板進行了清潔的區域供應防污染液體。

當清潔介質在基板的外區域開始并向基板的中心區域移動時，可以進行清潔介質的供應。

可以在基板的于其中供應清潔介質的區域與基板的外區域之間進行防污染液體的供應。

清潔介質可以以氣溶膠狀態供應。

處理液體可以是二氧化碳。

可以在0.75巴至1.25巴的壓力下進行清潔介質的供應。