[發明專利]一種OLED顯示基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 201710386834.4 | 申請日: | 2017-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN107170785B | 公開(公告)日: | 2019-06-25 |
| 發明(設計)人: | 楊凡;郭坤;蒲杰 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種OLED顯示基板,包括顯示區域和包圍所述顯示區域的周邊區域,其特征在于,所述周邊區域包括:
第一導電圖案,所述第一導電圖案包括至少兩個第一鏤空區域,所述第一鏤空區域用于作為對位標記圖案;
設置在所述第一導電圖案上的絕緣層,所述絕緣層包括第一絕緣圖案,所述第一絕緣圖案覆蓋所述第一鏤空區域,且所述第一絕緣圖案不完全覆蓋相鄰所述第一鏤空區域之間的部分;
設置在所述絕緣層上的第二導電圖案,所述第二導電圖案與所述第一導電圖案電連接。
2.根據權利要求1所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述第一絕緣圖案的形狀為鋸齒狀。
3.根據權利要求1所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述第一絕緣圖案包括多個相互獨立的子絕緣圖案,每個所述子絕緣圖案覆蓋一個所述第一鏤空區域。
4.根據權利要求3所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述子絕緣圖案的邊界在所述第一導電圖案上的投影與所述第一鏤空區域的邊界重合。
5.根據權利要求1所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述第一導電圖案包圍所述顯示區域設置一周。
6.根據權利要求1所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述第一導電圖案還包括第二鏤空區域;所述第二鏤空區域與所述第一鏤空區域位于所述顯示區域的不同側邊;
所述絕緣層還包括第二絕緣圖案,所述第二絕緣圖案覆蓋所述第二鏤空區域。
7.根據權利要求1-6任一項所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述顯示區域包括:設置在襯底基板上像素界定層、位于所述像素界定層開口區的第一電極、發光層以及覆蓋所述顯示區域的第二電極;
所述第一導電圖案與所述第一電極同層同材料,所述第二導電圖案與所述第二電極同層同材料。
8.根據權利要求7所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述第一絕緣圖案與所述像素界定層同層同材料。
9.根據權利要求7所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述顯示區域還包括位于所述像素界定層和所述第二電極之間,且設置在所述像素界定層上的隔墊物;
所述第一絕緣圖案與所述隔墊物同層同材料。
10.根據權利要求7所述的OLED顯示基板,其特征在于,在所述絕緣層還包括第二絕緣圖案時,所述第二絕緣圖案與所述像素界定層同層同材料。
11.根據權利要求7所述的OLED顯示基板,其特征在于,所述顯示區域還包括位于所述像素界定層和所述第二電極之間,且設置在所述像素界定層上的隔墊物;
在所述絕緣層還包括第二絕緣圖案時,所述第二絕緣圖案與所述隔墊物同層同材料。
12.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1-11任一項所述的OLED顯示基板。
13.一種OLED顯示基板的制備方法,所述OLED顯示基板包括顯示區域和包圍所述顯示區域的周邊區域,其特征在于,包括:
在襯底基板上形成第三導電圖案,所述第三導電圖案包括位于周邊區域的第一導電圖案和位于顯示區域的第一電極;所述第一導電圖案包括至少兩個第一鏤空區域,所述第一鏤空區域用于作為對位標記圖案;
在所述第三導電圖案上形成第三絕緣圖案,所述第三絕緣圖案包括位于周邊區域的第一絕緣圖案和位于所述顯示區域的像素界定區域的像素界定層或隔墊物;所述第一絕緣圖案覆蓋所述第一鏤空區域,且所述第一絕緣圖案不完全覆蓋相鄰所述第一鏤空區域之間的部分;
在所述第三絕緣圖案上形成第四導電圖案,所述第四導電圖案包括位于周邊區域的第二導電圖案和位于所述顯示區域的第二電極;所述第二導電圖案與所述第一導電圖案電連接,所述第二電極覆蓋所述顯示區域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





