[發明專利]半導體結構的制作方法

有效

• 申請號: 201710386009.4
• 申請日: 2017-05-26
• 公開（公告）號: CN108962727B
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 張海洋;王士京
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

本發明揭示了一種半導體結構的制作方法，包括：提供前端結構，所述前端結構包括依次形成的第一掩膜層、氧化層及第二掩膜層，所述第二掩膜層暴露出部分氧化層；在所述氧化層和第二掩膜層上形成有機平坦化層；在所述有機平坦化層上形成圖案化的光刻膠；以所述圖案化的光刻膠為掩膜，進行第一次刻蝕，所述第一次刻蝕分兩步進行，暴露出所述部分氧化層和所述第二掩膜層；進行第二次刻蝕，以所述第二掩膜層為掩膜刻蝕氧化層，暴露出部分第一掩膜層。于是通過分兩步進行的第一次刻蝕，使得有機平坦化層刻蝕出來的側面垂直度高，并且盡可能的避免刻蝕附著物的形成，從而在第二次刻蝕后，能夠確保掩膜圖案精確的傳遞至氧化層中。由此提高制得器件的質量。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種半導體結構的制作方法。

背景技術

隨著集成電路產業的不斷發展，半導體器件的尺寸越來越小，集成度越來越高。而為了能在芯片上集成數目更多、尺寸更小的晶體管，需要不斷開發出新的技術以不斷地縮減晶體管尺寸。其中，一個發展方向是自對準型雙重圖形技術(SADP，Self-Aligned DoublePatterning)，又稱之為側墻圖形技術(SPT，Spacer Patterning Technology)，該技術能有效實現線條密度的加倍，形成線寬和間距均很小的高密度平行線條。

但是，小型化同樣需求更嚴格的精細程度，因此，如何在實現線條密度增加的情況下，更好的將掩膜版圖案轉移至具體結構上，是一個巨大的挑戰。

發明內容

本發明的目的在于提供一種半導體結構的制作方法及半導體結構的制作方法，以檢測凹槽刻蝕時是否異常。

為解決上述技術問題，本發明提供一種半導體結構的制作方法，包括：

提供前端結構，所述前端結構包括依次形成的第一掩膜層、氧化層及第二掩膜層，所述第二掩膜層暴露出部分氧化層；

在所述氧化層和第二掩膜層上形成有機平坦化層；

在所述有機平坦化層上形成圖案化的光刻膠；

以所述圖案化的光刻膠為掩膜，進行第一次刻蝕，所述第一次刻蝕分兩步進行，暴露出所述部分氧化層和所述第二掩膜層；

進行第二次刻蝕，以所述第二掩膜層為掩膜刻蝕氧化層，暴露出部分第一掩膜層。

可選的，對于所述的半導體結構的制作方法，所述第一次刻蝕在氟基氣體環境下進行。

可選的，對于所述的半導體結構的制作方法，所述氟基氣體環境包括：流量為10-300scmm的四氟化碳，流量小于等于100sccm的氟甲烷，流量小于等于100sccm的二氟甲烷。

可選的，對于所述的半導體結構的制作方法，進行第一次刻蝕，所述第一次刻蝕分兩步進行包括：

采用羰基硫和氧氣的混合氣體進行第一步刻蝕至恰暴露出第二掩膜層；

采用氮氣和氫氣的混合氣體進行第二步刻蝕，至暴露出所述部分氧化層和所述第二掩膜層。

可選的，對于所述的半導體結構的制作方法，所述羰基硫的流量為5-200sccm，所述氧氣的流量為5-100sccm；所述氮氣的流量為10-500sccm，所述氫氣的流量為10-300sccm。

可選的，對于所述的半導體結構的制作方法，進行第一次刻蝕，所述第一次刻蝕分兩步進行包括：

采用羰基硫和氧氣的混合氣體進行第一步刻蝕至恰暴露出第二掩膜層；

采用脈沖調制的羰基硫和氧氣的混合氣體進行第二步刻蝕，至暴露出所述部分氧化層和所述第二掩膜層。