[發明專利]一種顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201710385962.7 | 申請日: | 2017-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN107221535B | 公開(公告)日: | 2021-01-22 |
| 發明(設計)人: | 樊浩原 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本申請提供了一種顯示面板及顯示裝置,用以防止因信號引出線末端腐蝕而造成的顯示面板顯示不良,本申請提供的一種顯示面板,包括:基板,設置于所述基板上的至少一根信號引出線,所述信號引出線一端裸露,且所述信號引出線上設置有斷開,該斷開通過重摻雜的多晶硅連接。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,特別是涉及一種顯示面板及顯示裝置。
背景技術
在顯示面板的生產過程中,通常會設置測試線路與顯示面板電路連接以對顯示面板進行檢測,在顯示面板測試結束后,需將測試線路切掉,這時連接測試線路的信號引出線的殘留部分的末端就會在斷面處裸露出來,而裸露的信號引出線容易受到腐蝕,而且腐蝕會沿著信號引出線向內延伸,直至綁定區域,甚至顯示區域,造成顯示面板工作信號的傳輸中斷,從而導致顯示面板顯示異常。例如,如圖1所示,切掉測試線路后,顯示面板包括:基板01,設置于基板01上的至少一根信號引出線02,信號引出線02一端裸露(如圖1中虛線框所示),信號引出線02上設有絕緣層03,絕緣層03上設有綁定PAD04,綁定PAD04通過絕緣層03上的過孔05連接信號引出線02;在信號引出線02受到腐蝕后,其結構示意圖如圖2所示。
此外,有些顯示面板上設置有用于連接顯示面板的信號線的信號引出線,該信號引出線末端也是裸露的,因此也容易受到腐蝕,造成顯示面板工作信號的傳輸中斷,從而導致顯示面板顯示異常。例如,如圖3所示,顯示面板包括:基板01,設置于基板01上的至少一根信號引出線02,信號引出線02一端裸露(如圖3中虛線框所示),信號引出線02上設有絕緣層03,每一根信號引出線02連接一根信號線06,信號引出線02與信號線06同層設置。
基于此,如何防止因信號引出線末端腐蝕而造成的顯示面板顯示不良,是本領域技術人員亟待解決的技術問題。
發明內容
本申請實施例提供了一種顯示面板及顯示裝置,用以防止因信號引出線末端腐蝕而造成的顯示面板顯示不良。
本申請實施例提供的一種顯示面板,包括:基板,設置于所述基板上的至少一根信號引出線,所述信號引出線一端裸露,且所述信號引出線上設置有斷開,該斷開通過重摻雜的多晶硅連接。
本申請實施例提供的顯示面板,包括:基板,設置于所述基板上的至少一根信號引出線,所述信號引出線一端裸露,且所述信號引出線上設置有斷開,該斷開通過重摻雜的多晶硅連接,由于信號引出線上設置有斷開,該斷開通過重摻雜的多晶硅連接,而由于重摻雜的多晶硅具有非常好的導電性能,故能保證信號引出線斷開的兩部分導通,同時,由于重摻雜的多晶硅是半導體,對腐蝕有非常好的隔絕效果,故能有效防止腐蝕向信號引出線的無裸露部分延伸,因此腐蝕就不會造成顯示面板工作信號的傳輸中斷,從而防止了因信號引出線末端腐蝕而造成的顯示面板顯示不良。
較佳地,所述重摻雜的多晶硅設于所述基板與所述信號引出線之間。
較佳地,所述重摻雜的多晶硅設于所述信號引出線的上方。
較佳地,所述重摻雜的多晶硅與所述信號引出線同層設置。
較佳地,所述重摻雜的多晶硅與所述信號引出線之間還設有第一絕緣層,所述信號引出線斷開的兩部分分別通過所述第一絕緣層上的第一過孔連接所述重摻雜的多晶硅。
通過在重摻雜的多晶硅與信號引出線之間設置第一絕緣層,以便于與顯示面板顯示區的膜層同時制作,從而可以簡化制作工藝。
較佳地,所述基板與所述重摻雜的多晶硅之間還設有緩沖層。
通過在重摻雜的多晶硅單元與基板之間設置緩沖層,可以隔絕基板上殘留的重金屬離子污染重摻雜的多晶硅。
較佳地,所述信號引出線上設有第二絕緣層,所述第二絕緣層上設有綁定PAD,所述綁定PAD通過所述第二絕緣層上的第二過孔連接所述信號引出線的無裸露部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





