[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體裝置的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710385165.9
• 申請(qǐng)日: 2017-05-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107785249B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 簡(jiǎn)昭欣;徐崇浚;季維均;劉繼文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L21/329;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/47
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包含下列步驟。在半導(dǎo)體基板上形成第一金屬層，并在第一金屬層上形成第二金屬層。第二金屬層由與第一金屬層不同的金屬形成。施加微波輻射于半導(dǎo)體基板、第一金屬層和第二金屬層，以形成包含第一金屬層、第二金屬層和半導(dǎo)體基板的成分的合金。

技術(shù)領(lǐng)域

本揭露是關(guān)于制造半導(dǎo)體集成電路的方法，更具體地涉及制造具有場(chǎng)效晶體管(field effect transistor,FET)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體工業(yè)引入具有更高性能和更大功能性的新一代集成電路(integratedcircuits,ICs)，導(dǎo)致集成電路的元件的密度增加，并且金屬觸點(diǎn)和布線的尺寸減小，進(jìn)而增加電路的電阻。因此，半導(dǎo)體業(yè)界皆期望減小接觸區(qū)域處的電阻以在集成電路中提供進(jìn)一步的改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本揭露的一方面是提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包含下列步驟。先形成第一金屬層于半導(dǎo)體基板上，再形成第二金屬層于第一金屬層上，其中第二金屬層由與第一金屬層不同的金屬形成。接著，施加微波輻射于半導(dǎo)體基板、第一金屬層以及第二金屬層，以形成合金，其包含第一金屬層、第二金屬層以及半導(dǎo)體基板的成分，其中微波輻射以0.6kW至4.4kW的功率施加40秒至240秒，合金是NiGePt₂三元合金。

本揭露的另一方面是提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包含下列步驟。先形成柵極結(jié)構(gòu)于半導(dǎo)體基板的第一區(qū)域，接著，形成源極/漏極區(qū)域于半導(dǎo)體基板的第二區(qū)域，其中第二區(qū)域位于第一區(qū)域的相對(duì)側(cè)上。然后，形成第一金屬層于源極/漏極區(qū)域，之后，形成第二金屬層于第一金屬層上，其中第二金屬層由與第一金屬層不同的金屬形成。最后，施加微波輻射于半導(dǎo)體基板、第一金屬層以及第二金屬層，以形成合金，其包含第一金屬層、第二金屬層以及半導(dǎo)體基板的成分，其中微波輻射以1.2kW至4.4kW的功率施加40秒至240秒，合金是NiGePt₂三元合金。

本揭露的另一方面是提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，包含下列步驟。首先，在半導(dǎo)體基板中形成一對(duì)間隔開(kāi)的源極/漏極區(qū)域。接著，在源極/漏極區(qū)域上形成第一金屬層，之后，在第一金屬層上形成第二金屬層，其中，第二金屬層由與第一金屬層不同的金屬形成。施加微波輻射于半導(dǎo)體基板、第一金屬層和第二金屬層，以在源極/漏極區(qū)域上形成包含第一金屬層、第二金屬層和半導(dǎo)體基板的成分的合金之后，在半導(dǎo)體基板上方形成高介電絕緣層，并且在間隔開(kāi)的源極/漏極區(qū)域之間的區(qū)域中的高介電絕緣層上方形成導(dǎo)電金屬層。接著，在源極/漏極區(qū)域上形成導(dǎo)電接觸。合金是NiGePt₂三元合金。

附圖說(shuō)明

當(dāng)以下詳細(xì)描述與附圖一起閱讀時(shí)，可以最好地理解本揭露。要強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各種特征不是按比例繪制的，并且僅用于說(shuō)明目的。實(shí)際上，為了清楚地討論，可以任意地增加或減少各種特征的尺寸。

圖1繪示根據(jù)本揭露部分實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖；

圖2-圖12繪示根據(jù)本揭露部分實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法；

圖13繪示根據(jù)本揭露部分實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖；

圖14繪示根據(jù)本揭露部分實(shí)施方式中，制造半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖；

圖5-圖23繪示根據(jù)本揭露部分實(shí)施方式中，制造場(chǎng)效晶體管半導(dǎo)體裝置的方法；

圖24-圖31繪示根據(jù)本揭露部分實(shí)施方式中，制造場(chǎng)效晶體管半導(dǎo)體裝置的方法；

圖32A-圖34B繪示根據(jù)本揭露部分實(shí)施方式中，制造場(chǎng)效晶體管半導(dǎo)體裝置的方法；

圖35繪示根據(jù)本揭露部分實(shí)施方式中，將微波輻射施加到半導(dǎo)體裝置的微波系統(tǒng)。

具體實(shí)施方式